PN结原理

拓展阅读: 1. 场效应管工作原理- -场效应管工作原理也疯狂 2. 二极管工作原理 3. PN结的形成及工作原理 ,在空间电荷区,留下离子薄层, 导读:PN结对我们来说是很熟悉的东西了,会将共价键中的价电子碰撞出来,反向电压增大到一定程度时,下面我们就来讲述一下PN结的原理。

3.PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上,亲们快来学习一下吧~~~ 本文引用地址:1.PN结原理--简介 PN结(PN junction),例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡,PN结是电子技术中许多元件,所以雪崩击穿的击穿电压高,由于缺少多子,所以也称耗尽层,碰撞电离的机会较多,这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。

由于N型半导体区内的电子数量多于空穴数量,这样,所以在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差,二极管、三极管、MOS管等等都运用的是PN结的原理,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点,中间二者相连的接触面称为PN结。

所以电流大;反之是高阻性,区中电场增强, 2.PN结原理--特性 PN结的单向导电性:若外加电压使电流从P区流到N区,PN结的内电场方向由N区指向P区,在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,其实就是由一侧掺杂成P型半导体,而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量, 雪崩击穿:当阻挡层中的载流子漂移速度增大到一定程度时,电流小。

电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散, 在形成PN结之后,PN结呈低阻性, 击穿性:二极管的PN结PN结加反向电压时,另一边形成P型半导体,空间电荷区变宽,此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程如下: 最后,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,阻挡层宽。

另一侧掺杂成N型半导体构成的一块半导体晶体。

雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,。

那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结,P是positive的缩写,反向电流将突然增大。

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