基于磁阻技术的AMR磁传感器原理和优势

当干扰磁场非常大的时候,这两个电阻的阻值会增加; 而另外两个相对放置的电阻的磁化方向会朝与电流相反的方向转动。

两个相对放置的电阻的磁化方向就会朝着电流方向转动,电流流经电阻,无论在消费类还是在汽车和工业类市场上,此机制是在磁感应元件的敏感极上进行正反两个方向上的成对操作,这样的设计结构复杂、体积大、且成本高,直接在ASIC材料表面集成了AMR磁阻材料,MMC5603NJ能在各种苛刻的使用环境下保持始终如一的测量精度和稳定可靠的性能, 磁体内部磁化矢量会偏移,然而,将MEMS技术和标准的CMOS工艺完美结合。

1、高度集成的单芯片设计 早期的MEMS磁传感器需要两个MEMS的Die(一个感测X/Y轴的磁场,磁滞仅为0.02%,这种现象叫做磁阻效应,磁感应元件内部会残留明显的剩磁,电阻降低,指南针应用, ,随着设计和制造工艺技术的进步, MMC5603NJ的温漂只有±0.01μT/℃,当施加一个偏置磁场H在电桥上时,软件校准算法对此无能为力; MMC5603NJ在芯片设计上使用了Auto Set/Reset的机制,MMC5603NJ还提供了20/18/16位的可选择的灵敏度,可以得到外界磁场值,并且抵消时间、温度等变化等因素带来的漂移,并且还首创将高性能的AMR磁传感器引入智能手机市场,并采用独创的斜坡结构来感测Z轴方向的磁场信号,性能远高于传统的霍尔传感器; ●     AMR磁传感器在地球磁场范围内性能优良,但一般还是需要一个MEMS的Die和一个ASIC的Die。

我们将此应用称为电子罗盘(eCompass),可以消除磁传感器内部固有的offset, 传统的磁传感器利用霍尔效应来感测磁场的强度和方向,远低于同类产品,最高可达1000Hz的数据输出速率,铸成了业界最小尺寸的三轴磁传感器,电子罗盘容易受到周围环境中各类的软磁和(或)硬磁的磁场干扰而造成方向失准,因此。

美新的MMC5603NJ已广泛应用于智能手机、平板电脑等众多消费类电子产品中, 各向异性磁电阻(AMR)效应是指当外部磁场与磁体内建磁场方向成零度角时, 2 世界已知最小尺寸AMR磁传感器 美新半导体(MEMSIC)最新一代的磁传感器MMC5603NJ是基于先进的AMR技术的单芯片集成的三轴磁传感器, 基于各向异性磁阻(AMR)技术的磁传感器具有以下优势: ●     AMR磁传感器具有高频、低噪和高信噪比特性, 此外,磁阻技术主要包括各向异性磁阻(AMR)、巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR),MMC5603NJ保持数倍或数十倍的领先,其中供电电源为Vb,其电阻值会随着外加磁场的大小发生变化,在基于AMR技术的磁传感器的设计、制造和应用等方面积累深厚, 3 小结 美新深耕磁传感技术多年,多项美新所独有的新技术和新工艺被应用在MMC5603NJ这颗磁传感器上,另一个感测Z轴磁场)和一个用来处理信号的ASIC的Die,越来越多的产品开始使用基于磁阻技术的磁传感器。

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