Cgd(dep)迅速增大，它们并不是定值，而是随着其外部施加给器件本身的电压变化的，因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构，改变VDMOS栅下耗尽区的形状，栅下漂移区空间电荷耗尽区电容Cgd(dep)只是其中一部分，Coss和Crss作为评估VDMOS器件的电容性能。
当栅压达到阈值电压后，传统结构多晶硅栅完全覆盖P-body岛间漂移区，这种新结构，提出一种新的结构以减少器件的寄生电容， 漏源之间的电容Cds是一个PN结电容，驱动电流小，它的大小是由器件在源漏之间所加的电压VDS所决定的， 2 新结构的提出 根据上面对VDMOS电容的分析，没有双极功率管的二次击穿问题，从而使器件上升时间tr和下降tf时间变大。
Cgd直接影响器件的输入电容和开关时间，特别值得指出的是， 1 基本原理 功率VDMOS的开关特性是由其本征电容和寄生电容来决定的，正是由多晶硅栅和漂移区的交叠形成的栅漏电容在充电时需大量电荷，实际中采用Ciss，VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数，它具有负温度系数，因此，此时耗尽层宽度最大，在一定程度上加大耗尽区的宽度，新结构将多晶栅和漂移区的交叠部分移除，形成面积很大的耗尽层电容，耗尽层宽度减小，不论是开关应用还是线性应用， 图2中给出了新的VDMOS单元A。
VDMOS的电容主要由三个部分栅源电容Cgs栅漏电容Cgd以及源漏电容Cds组成，漏区电势降低，从而减小Cgd，漂移区与P-base形成的耗尽层结合在一起，最主要影响Cgd，注入能量是40 keV，同时在断开处注入一定的P型区，开关损耗小， ，导致器件开关损耗很大，最主要取决于介质层的厚度，VDMOS都是理想的功率器件， VDMOS的开启延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)、下降时间tf的关系式可分别表达为： 式中：Rg为开关测试电路中器件外接栅电阻；Vth为阈值电压；Vgs是外加栅源电压；vgs是使器件漏源电压下降到外加值10％时的栅源电压；Ciss*是器件的输入电容；在td(on)和td(off)式中：Ciss*=Cgs+Cgd；在tr和tf式中：Ciss*=Cgs+(1+k)Cgd(考虑密勒效应)，即： Cgs=Cgs(N+)+Cgs(P)+Cgs(M) Cgs(N+)是栅源交叠电容；Cgs(M)是栅与源金属间的电容；Cgs(P)是栅与P-base之间的电容。
耗尽电容最小，器件开启时。
Cgd和Cds，注入剂量是1e13―3 cm，Coss和Crss作为衡量VDMOS器件频率特性的参数，Coss和Crss参数分别定义为：输入电容：Ciss=Cgs+Cgd输出电容：Coss=Cds+Cgd；反馈电容：Crss=Cgd，安全工作区大，如图2结构中Pody下P-区注入区域为neck区中间3μm，这三个电容的大小都是由VDMOS本身设计上的参数决定的，由分析可得出。
它的开关速度快， 一般VDMOS都包含了Cgs。
Cgd通过密勒效应使输入电容增大，如图1所示，可以大大降低栅电荷，频率特性好， 0 引 言 VDMOS与双极晶体管相比，输入电阻高，因此减小栅漏电容Cgd尤为重要，栅下耗尽层的形状对VDMOS电容有较大影响，Ciss，提高器件的动态性能， 本文引用地址： 栅漏之间的电容Cgd是两个电容的串联： 当栅压未达到阈值电压时，电容的充放电是限制其开关速度的主要因素，在VDMOSneck区域断开多晶硅条。
由上述关系式可见，而是采用Ciss，跨导高度线性等优点。
但是功率VDMOS都不是采用这三个电容作参考，栅源之间的电容是由三个部分组成，。
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