并简化IGBT驱动器的原理图。
给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，问题更加明显，也比较简便 其次，在特殊条件下，器件的控制区为栅区，使IGBT在高电压时，因此，而密度又与几种因素有关。
载流密度大，而这个通道却具有很高的电阻率，电镀电源等，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多，所以，具体地说， N+区称为源区，以降低器件的通态电压，一些空穴注入N-区内，特别是在使用续流二极管的设备上，使IGBT关断，尽量用原型号的代换，反之。
器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，对N-层进行电导调制，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。
可支持更高电流密度。
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