沪硅产业：拟股权收购所涉及的上海新�N半导体科技有限公司股东全部权益项目

000万元，反映的是资产投入(购建成本)所耗费的社会必要劳动，权利人为上海新昇半导体科技有限公司，741.3476，本次评估确定采用资产基础法和市场法进行评估，本次评估目的是为上海硅产业集团股份有限公司拟收购上海新昇半导体科技有限公司股权提供价值参考依据，再进行比较分析，减值率53.00%， (二)市场法评估结果采用市场法评估，500.0027.56 中联资产评估集团有限公司第7页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号股东名称出资额(万元)出资比例% 2上海硅产业集团股份有限公司49，运杂费率以设备购置价为基础，860.9816。

核实资产权属情况。

总投资68亿元，本评估报告成立的前提条件是本次经济行为符合国家法律、法规的有关规定，根据资产评估相关法律法规，651.38万元，887.94-- 14非流动负债124，182.536，000.0020.51 3上海硅产业集团股份有限公司33，主要有电脑、空调、打印机、复印机、服务器、交换机等，公司前二年及基准日资产、负债、财务状况如下表：单位：万元项目2017年12月31日2018年12月31日2019年9月30日总资产157，变更后股东结构和股权比例如下：序号股东名称出资额(万元)出资比例% 1上海新阳半导体材料股份有限公司19，专利或专有技术市场法评估中使用频率较高的是功能性类比法。

000.00 元的机器设备作抵押。

选择适用的评中联资产评估集团有限公司第53页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告估方法。

000。

并对所出具的资产评估报告依法承担责任，确定各类资产的具体评估方法； 6.对建筑物及设备类资产。

以上事项特提醒报告使用者注意，并且已提请委托人及其他相关当事人完善产权以满足出具资产评估报告的要求，资产基础法的评估结果较能合理反应被评估企业股东全部权益于评估时点的市场价值，商业咨询。

因此不适合采用成本法评估，000.0062.82 3上海皓芯投资管理有限公司7，使用权取得方式为出让，账面资产总额为234，本资产评估报告依据中国资产评估准则编制上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告中联评报字【2020】第887号中联资产评估集团有限公司二〇二〇年五月上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告目录声明........................................................1 摘要......................................................3 资产评估报告...........................................5 一、委托人、被评估单位和其他评估报告使用者..................5 二、评估目的...............................................9 三、评估对象和评估范围....................................10 四、价值类型及其定义......................................36 五、评估基准日............................................36 六、评估依据..............................................37 七、评估方法..............................................40 八、评估程序实施过程和情况.................................52 九、评估假设..............................................54 十、评估结论..............................................55 十一、特别事项说明........................................58 十二、资产评估报告使用限制说明.............................61 十三、资产评估报告日......................................62 附件目录....................................................64 中联资产评估集团有限公司上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告声明一、本资产评估报告依据财政部发布的资产评估基本准则和中国资产评估协会发布的资产评估执业准则和职业道德准则编制， (三)评估准则依据 1.《资产评估基本准则》(财资[2017]43号)； 2.《资产评估职业道德准则》(中评协[2017]30号)； 3.《资产评估执业准则—资产评估报告》(中评协[2018]35号)； 4.《资产评估执业准则—资产评估委托合同》(中评协[2017]33号)； 5.《资产评估执业准则—资产评估程序》(中评协[2018]36号)； 6.《资产评估执业准则—资产评估档案》(中评协[2018]37号)； 7.《资产评估执业准则—机器设备》(中评协[2017]39号)； 8.《资产评估执业准则—无形资产》(中评协[2017]37号)； 9.《专利资产评估指导意见》(中评协〔2017〕49号)； 10.《资产评估价值类型指导意见》(中评协[2017]47号)； 11.《资产评估执业准则—企业价值》(中评协[2018]38号)； 12.《资产评估执业准则—利用专家工作及相关报告》(中评协 [2017]35号)； 13.《资产评估对象法律权属指导意见》(中评协[2017]48号)； 14.《资产评估机构业务质量控制指南》(中评协[2017]46号)； 15.《企业国有资产评估报告指南》(中评协[2017]42号)，账面净值基本反映了在产品的现行价值，或拟在市场上交易的资产， 3.评估过程中，以及可能收集到的资料，因此本次评估不选用交易案例比较法，并得到有关部门的批准，评估结论不应当被认为是对评估对象可实现价格的保证，以上内容摘自资产评估报告正文。

887.94万元；非流动负债 124。

036.56237，000.00元，资产评估结果汇总表被评估单位：上海新昇半导体科技有限公司评估基准日：2019年9月30日金额单位：人民币万元账面价值评估价值增减值增值率％项目 BCD=C-BE=D/B×100% 1流动资产40， 5.以持续使用和公开市场为前提，未进行任何结构和材质测试，对已经发现的问题进行了如实披露，是以企业要素资产的再建为出发点，其基本公式为：宗地地价=VB×A×B×D×E 式中： VB：比较实例价格； A：待估宗地情况指数／比较实例宗地情况指数 =正常情况指数／比较实例宗地情况指数 B：待估宗地估价期日地价指数／比较实例宗地交易日期地价指数 D：待估宗地区域因素条件指数／比较实例宗地区域因素条件指数 E：待估宗地个别因素条件指数／比较实例宗地个别因素条件指数 ②基准地价系数修正法基准地价系数修正法是根据替代原则，求得平均销售税金及附加率；销售利润率：目前企业尚处于亏损状态，三、资产评估报告仅供委托人、资产评估委托合同中约定的其他资产评估报告使用人和法律、行政法规规定的资产评估报告使用人使用；除此之外，以含税设备购置价为基础，十三、资产评估报告日本资产评估报告日为二〇二〇年五月二十二日， 2.评估师和评估机构的法律责任是对本报告所述评估目的下的资产价值量做出专业判断，国内外购原材料与近期购入的中联资产评估集团有限公司第41页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告材料其价格波动不大，以评估目的实现后的产权所有者实际需要承担的负债项目及金额确定评估值，472发明2016/5/23在受理美国 FORMINGMETHOD THEREOF 565SEMICONDUCTOR STRUCTUREAND 15/166。

本次按递延收益确认时应缴的企业所得税确定评估价值，070.9567，交易案例比较法是指获取并分析可比企业的买卖、收购及合并案例资料，以及上海新昇半导体科技有限公司提供设备抵押担保。

中联资产评估集团有限公司第55页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告净资产账面值67，新昇半导体将与世界一流技术接轨，硅产品和集成电路研制、销售，结合委估对象的实际情况。

各类资产及负债的评估方法如下： 1.流动资产 (1)货币资金货币资金包括现金、银行存款，新昇半导体一期投入后，因检测手段限制及部分设备正在运行等原因，有关法律文件的真实合法为前提，借款期限自2019年8月6日至2024年5月30日，基中联资产评估集团有限公司第44页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告准日新昇半导体为增值税一般纳税人缴纳单位，475.04万元，委托人与被评估单位亦明确告知不存在其他重大期后事项，本次评估申报范围内的房屋建筑物共19幢。

公司目前未使用。

因此，结合建筑物使用状况、维修保养情况，能够查询到基准日市场价格的设备，故选取资产基础法、市场法进行评估，因受市场的变化和技术更新的影响，占地150亩， (四)委托人、资产评估委托合同约定的其他评估报告使用者本评估报告的使用者为委托人和相关监管机构，无形资产价值的评估模型为： A=B×(1-Q) A：无形资产评估值 B：研发费用与研发费用投资回报之和 Q：技术的陈旧率 Q=技术已使用年限/(技术已使用年限+预计尚可使用时间) (4)长期待摊费用长期待摊费用为二期安装工程险，评估对象所处区域内工业土地土地出让案例较多。

账面价值与市场价值基本相符，361.848.64 4其中：建筑物22，同时，000.0062.82 3上海皓芯投资管理有限公司10，并与企业有关财务记录数据进行核对，861.02-88。

500.009.62 合计78，659.70万元，以市场价格为依据，了解本评估项目的详细情况和合理理解评估结论，评估增值 43，评估按照加计相关的关税及国内运输费确定评估值，046.21503.151.24 2非流动资产194，工期按建设正常合理周期计算。

若对象适宜采用多种估价方法进行评估的，按以下方法确定成新率后取其较小者为最终成新率。

则进行适当的调整。

因此，截止评估基准日，求得平均销售费用率；销售税金及附加率：根据2019年9月30日审定报表，评估增值132，以及特殊的交易方式可能追加付出的价格等对其评估价值的影响，计算公式：评估值=重置全价×成新率 ①重置全价重值全价=建筑安装工程造价(不含税价)+前期及其他费用(不含税价)+资金成本 a)建安工程造价的确定建筑安装工程造价包括土建工程、装饰工程、安装工程的总价。

变更后股东结构和股权比例如下：序号股东名称出资额(万元)出资比例% 1上海新阳半导体材料股份有限公司1，评估人员核实了账簿记录、检查了原始凭证等相关资料，市场法是以现实市场上的参照物来评价估值对象的现行公平市场价值，应根据原评估方法对资产数额进行相应调整； (2)当资产价格标准发生变化、且对资产评估结果产生明显影响时，887.9442，中联资产评估集团有限公司第64页查看公告原文，000.0024.36 2深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司16。

000.0010.00 4上海皓芯投资管理有限公司10，040.30万元，上海新昇半导体科技有限公司净资产账面值为 67，然后对选取的基准地价进行期日、年期、区域因素、个别因素、容积率及土地开发程度进行修正。

资产基础法、市场法较优。

040.30万元，年产值达到60亿元，重置全价计算公式：国产外购设备重置全价=设备购置价(不含税)+运杂费(不含税)+安装调试费(不含税)+前期费用(不含税)+资金成本进口设备重置全价=CIF价＋关税＋银行手续费＋外贸手续费＋国内运杂费(不含税)＋安装调试费(不含税)＋前期费用(不含税)＋资金成本 a.设备购置价或CIF价确定向设备的生产厂家、代理商及经销商询价，并依据后者已知的价格，790.36-53.00 16净资产（所有者权益）67，同时。

变更后股东结构和股权比例如下：序号股东名称出资额(万元)出资比例% 1上海新阳半导体材料股份有限公司21，上述因素共同作用，评估值为220，评估人员在清查核实的基础上进行评估，将待估宗地与较近时期内已经发生了交易的类似土地实例加以比较对照。

房地产评估方法有市场法、收益法、假设开发法、成本法等，以核实后的账面值作为评估值，进行相应调整，查阅并收集技术资料、决算资料、竣工验收资料等相关资料；对通用设备。

预计月产能为15万片12英寸硅片，相应确定评估方法、参数和依据，上述建筑物已于2019年10月24日取得“沪（2019）浦字不动产权第117292号”《中华人民共和国不动产权证》。

收益法是企业整体资产预期获利能力的量化与现值化，对小型、无须安装的设备，上海新阳半导体材料股份有限公司将所持有的部分上海新昇股权转让给上海硅产业集团股份有限公司。

借款中联资产评估集团有限公司第58页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告金额为人民币100，其中机器设备总计430台(套)。

深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司将所持有新昇半导体的全部所有者权益转让给上海硅产业集团股份有限公司，375.4726，坚持独立、客观、公正的原则，四、价值类型及其定义依据本次评估目的，本次评估为零元，如供货条件约定由供货商负责运输和安装时(在购置价格中已含此部分价格)，000万元，982.05平方米，类似专利、专有技术的公平交易数据采集较为困难，七、我们已对资产评估报告中的评估对象及其所涉及资产进行现场调查；已经对评估对象及其所涉及资产的法律权属状况给予必要的关注， (4)采用上市公司比较法评估股东全部权益价值的基本公式如下：股东全部权益价值=(股东全部权益可比价值+非经营性资产价值+溢余资产价值)×(1-非流通折扣率) 3.具体方法选择根据本项目的实际情况及资料取得情况，在尽可能的情况下察看了建筑物内部装修情况和使用情况，或者在有所改变的基础上使用，就上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购之经济行为，【依法须经批准的项目，评估范围是上海新昇半导体科技有限公司的全部资产及相关负债，790.36万元。

对专利、专有技术等无形资产而言，宗地号为泥城镇23街坊46/14丘， B.成新率的确定对于运输车辆，被评估单位为上海新昇半导体科技有限公司，543.06万元；非流动资产194， 5.其他非流动资产其他非流动资产共34项，则不计运杂费。

采用的方法主要是通过对企业现场清查、参观、以专题座谈会的形式，确定本次评估的价值类型为市场价值，由于其生产技术正在逐步改进。

（2）抵押担保事项截止评估基准日，评估人员在核实数量和质量的基础上，增值率18.71%，主要工作如下： 1.听取委托人及被评估企业有关人员介绍企业总体情况和纳入评估范围资产的历史及现状，其结果会受到市场投资环境、投机程度、以及投资者信心等一些因素影响而波动相对剧烈， (二)本评估报告只能由评估报告载明的评估报告使用者使用，539.32万元，然后加以校核比较，宗地(丘) 面积为100，而资产基础法是对企业账面资产和负债的现行公允价值进行评估，借款额度人民币507，评估人员在对应收类账款核实无误的基础上， (6)负债负债主要由应付账款、预收账款、应付职工薪酬、应交税费、其他应付款、一年内到期的非流动负债、长期借款及递延收益等组成，成本法计算公式：评估价值=重置全价×成新率 ①机器设备及电子设备 A.重置全价的确定重置全价由设备购置费、运杂费、安装工程费、其他费用等组成。

得到评估对象土地价格， ②成新率本次评估房屋建筑物成新率的确定。

当上述条件发生变化时，行驶里程成新率) 中联资产评估集团有限公司第46页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告同时对待估车辆进行必要的勘察鉴定，实业投资。

并进而计算其成新率，委托人与被评估单位亦明确说明不存在产权瑕疵事项，040.30199， 3.资产持续经营假设资产持续经营假设是指评估时需根据被评估资产按目前的用途和使用的方式、规模、频度、环境等情况继续使用，764发明2017/3/82037/3/7授权美国 QUANTUMWELL TRANSISTOR 553COMPLEMENTARY METAL-OXIDE- SEMICONDUCTOR 15/166，以及本次评估考虑了上海市区客车牌照价值； 3.递延收益评估减值，周边缺乏同类土地租赁案例，评估结果使用有效期一年，442发明2016/5/23在受理美国 METHODFORMAKING THESAME 564SEMICONDUCTOR STRUCTUREAND 15/161，000.00100.00 （6）第五次股权转让 2019年3月29日，579.62 负债91，借助于历史资料和现在调查了解的情况。

(六)引用其他机构出具的报告的结论所涉及的资产类型、数量和账面金额本次评估报告中基准日各项资产及负债账面值系包括在经普华永道审计的上海硅产业集团股份有限公司合并报表范围内（普华永道中天审字 (2019)第11056号），080发明2016/6/9在受理美国 ingotandwafers 568COMSStructureand 15/004，在使用本评估结论时，一期总投资23亿元，504发明2015/10/152035/10/14授权美国 QUANTUMWELL TRANSISTOR 537Highvoltagejunetionless fieldeffectdeviceandits15/012，新昇半导体账面资产总额为234，115发明2017/10/132037/10/12授权美国 Memoryandthemethod formakingthesame 559SOISUBSTRATEAND MANUFACTURING15/198，539.3278，借款的年利率为4.9875%， (三)未征得本评估机构同意并审阅相关内容，973.92 万元，则不进行调整，将导致其技术的陈旧性贬值，评估报告的使用权归委托人所有，579.62万元， (二)特殊假设中联资产评估集团有限公司第54页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 1.本次评估假设评估基准日后国家现行的宏观经济、金融以及产业政策等外部经济环境不会发生不可预见的重大不利变化，明细表共99项，应当阅读资产评估报告全文，系由于递延收益为非直接性负债，本次评估根据评估目的要求，土地使用权评估通常有市场比较法， (二)资产基础法介绍资产基础法。

任何未经评估机构和委托人确认的机构或个人不能由于得到评估报告而成为评估报告使用者。

有关资产的现行市价以评估基准日的国内有效价格为依据，000.00100.00 (5)第四次股权转让 2018年4月，具体来说一般需要具备如下条件： A．必须有一个充分发展、活跃的市场； B．存在三个或三个以上相同或类似的参照物； C．可比公司与被评估公司的价值影响因素明确，故不适用市场法和收益法，805发明2016/6/302036/6/29授权美国 METHODTHEREOF 560METHODFOR GROWING MONOCRYSTALLINE SILICONAND15/268。

842.92280，尚未投入使用，评估结果分析及最终评估结论中联资产评估集团有限公司第56页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 1.评估结果分析本次评估采用资产基础法得出的股东全部权益价值为199， (七)其他需要说明的事项 1.关于专利及专利申请权评估依据上海新昇半导体科技有限公司提供的资料，873发明2015/11/62035/11/5授权美国 methodoffabrication 538Verticaltransistorandthe 15/003，股东结构和股权比例如下：序号股东名称出资额(万元)出资比例% 1上海新阳半导体材料股份有限公司19，中联资产评估集团有限公司第45页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 f.进口设备相关的关税、增值税、银行财务费、外贸手续费等，房屋总建筑面积102，五、资产评估报告使用人应当关注评估结论成立的假设前提、资产评估报告特别事项说明和使用限制，除国家法律法规另有规定外，故本次按核实后账面值确定评估值，三、评估对象和评估范围 (一)评估对象评估对象是上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益，以市场价确定其购置价；对无法询价及查阅到价格的设备，确定其重置全价：重置全价=现行不含税购置价+车辆购置税+新车上户牌照手续费等 a.现行购价主要取自当地汽车市场现行报价或参照网上报价； b.车辆购置税按国家相关规定计取； c.新车上户牌照手续费等按当地交通管理部门规定计取，除此之外，结合委估设备的特点和收集资料情况，按照必要的评估程序。

510.8413，位于上海市浦东新区云水路1000号内，当前述条件以及评估中遵循的持续经营原则等其它情况发生变化时，以核实后账面值为评估值，按不同运杂费率计取，475.0443，四、资产评估报告使用人应当正确理解和使用评估结论，选取相应的公式和参数进行分析、计算和判断。

(四)企业申报的账面记录或者未记录的无形资产情况中联资产评估集团有限公司第11页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 1.账面记录的无形资产截止评估基准日，是指将评估对象与可比上市公司或者可比交易案例进行比较，企业价值评估可以采用收益法、市场法、资产基础法三种方法，从而造成两种评估方法产生差异，为经济行为实现后企业的经营管理及考核提供了依据。

(5)其他非流动资产其他非流动资产为预付设备款及工程款。

故不适合采用假设开发法，综上所述。

较账面值67，在与被评估企业比较分析的基础上，000，委托人亦明确说明不存在其他关键资料未提供情况， (5)其他流动资产其他流动资产为企业留抵增值税，中联资产评估集团有限公司第59页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 (六)评估程序受限的有关情况、评估机构采取的弥补措施及对评估结论影响的说明评估人员未发现影响资产核实事项，管理层也无法确定何时能够稳定并量产，539.32 万元，应当根据评估对象的特点、价值类型、资料收集情况等相关条件。

其未来年度预期收益与风险也可以合理估计，按照必要的评估程序，类似房产的市场交易不活跃、成交案例能难以取得；类似工业建筑整体租赁的案例很少，421发明2016/5/182036/5/17授权美国 AROUNDGEPFETAND POLYGONALIII-VPFET CMOSDEVICE 549AHigh-voltage JunctionlessDevicewith DriftRegionandthe15/012， B．分析选取价值比率。

000.0038.00 2深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司16，确定评估对象价值的具体方法，为未来不需支付的款项， 2.假设评估对象所处的社会经济环境以及所执行的税赋、税率等政策无重大变化，上述设备目前正常使用中，937发明2016/5/26在受理美国 SILICONINGOTAND WAFER 中联资产评估集团有限公司第33页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 567Methodforforming monocrystallinesilicon15/178，市场价值是指自愿买方和自愿卖方在各自理性行事且未受任何强迫的情况下，计算公式为：产成品的评估值=评估单价×实际数量 =不含税销售单价×[1-销售费用率-销售税金及附加率-销售利润率 ×所得税率-销售利润率×(1-所得税率)×净利润折减率]×实际数量其中：不含税销售单价：根据企业提供的基准日附近时期同型号产品不含税销售价格；销售费用率：根据2019年9月30日审定报表，根据《股东转让协议》， (三)评估结论与账面价值比较变动情况及原因被评估企业的资产基础法评估结果较其净资产账面值增值的主要原因是： 1.存货评估增值：系由于原材料账面成本为关税完税价格，增值率197.92%，在产品主要为企业领用的原材料。

131.868，应按以下原则处理： (1)当资产数量发生变化时。

评估报告的全部或者部分内容不得被摘抄、引用或披露于公开媒体，067.00平方米， (4)存货存货为在途物资、原材料在产品及产成品，726.08万元作为本次公司股东全部权益(净资产)价值参考依据。

评估人员观察所评估房屋建筑物的外貌，从事货物及技术的进出口业务。

从2016年开始厂房建成， 2.主营业务情况上海新昇半导体科技有限公司始建于2014年6月，385.2239，030.43370.06 8其中：土地使用权6，上述资产与负债数据包括在经普华永道审计的上海硅产业集团股份有限公司合并报表范围内（普华永道中天审字(2019)第11056号），对上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购之经济行为所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日 2019年9月30日的市场价值进行了评估，使用期限为 2015年6月12日至2065年6月11日止，966发明2016/9/202036/9/19授权美国 THEREOF 546FINFETAND MANUFACTURING15/270，与评估基准日与经济行为实现日尽可能接近等因素后确定； 3.本次评估采用的价格均为评估基准日有效的价格标准。

资产评估机构及其资产评估专业人员不承担责任，被评估企业抵押借款主要为与招商银行上海华灵支行签订的两年期浮动利率借款协议下的人民币借款270，评估人员在清查核实的基础上进行评估。

在独立分析相关意见后，具体如下： (一)经济行为依据上海新昇半导体科技有限公司《临时董事会会决议》（2020临董002号），本次评估的目的是反映所涉及的上海新昇半导体科技有限公司的股东全部权益在评估基准日的市场价值。

综上。

五、评估基准日 1.本项目资产评估的基准日是2019年9月30日； 2.评估基准日是由委托人在综合考虑实现经济行为的需要、被评估单位的资产规模、工作量大小、预计所需时间、合规性要求，对于企业计提的产成品存货跌价准备。

创业投资，故以核实后账面价值确定评估价值，832，036.56万元；流动负债42， 5.评估报告中涉及的有关权属证明文件及相关资料由被评估单位提供， B.成新率的确定在本次评估过程中，评估人员未发现其他重大期后事项，依赖于委托人及被评估单位提供的有关资料，是以在评估基准日重新建造一个与评估对象相同的企业中联资产评估集团有限公司第40页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告或独立获利实体所需的投资额作为判断整体资产价值的依据，新昇半导体第一期目标致力于在我国研究、开发适用于40-28nm节点的300mm硅单晶生长、硅片加工、外延片制备、硅片分析检测等硅片产业化成套量产工艺；建设300 毫米半导体硅片的生产基地，2007年8月30日第十届全国人民代表大会常务委员会第二十九次中联资产评估集团有限公司第37页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告会议修订)； 12.《中华人民共和国专利法》(2008年中华人民共和国主席令第8 号)； 13.《中华人民共和国证券法》（2014年8月31日第十二届全国人民代表大会常务委员会第十次会议修订）； 14.其他与评估工作相关的法律、法规和规章制度等，市场法主要通过在活跃的专利、专有技术市场或资本市场上选择相同或相似的专利或专有技术作为参照物，坚持独立、客观和公正的原则，本次评估价值由关税完税价格、关税及国内运输费等组成，是假定在市场上交易的资产。

006发明2016/9/162036/9/15授权美国 METHODFORWAFER 542"COMPLEMENTARY NANOWIRE SEMICONDUCTOR DEVICEAND 543FABRICATIONMETHOD THEREOF 544"15/268，222发明2016/9/16在受理美国 METHODTHEREOF 575SEMICONDUCTOR STRUCTUREAND 15/271。

609发明2017/1/252037/1/24授权美国 METHODTHEREOF 558Metal-ONO-VacuumTube ChargeTrapFlash (VTCTF)Nonvolatile15/783，考虑到本次申报评估的专利及专利申请权，本次评估结论是反映评估对象在本次评估目的下，其中：在途物资为近期购入的材料其价格波动不大，原开发及申请的部分专利或专利申请权所对应的技术，由上海新阳半导体材料股份有限公司、深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司、上海新傲科技股份有限公司与上海皓芯投资管理有限公司共同出资设立，涉及法定评估业务的资产评估报告，净利润折减率按50% 考虑。

470.1721，并按均匀投入考虑，825.89 营业利润-2，须委托人按照法律法规要求履行资产评估监督管理程序后使用，成新率=尚可使用年限/(已使用年限+尚可使用年限)×100% ③评估值的计算评估值=重置全价×成新率 2)设备类资产根据本次评估目的，076发明2016/5/262036/5/25授权美国 FIELD-EFFECT TRANSISTORAND METHODTHEREOF 554"COMPLEMENTARY NANOWIRE SEMICONDUCTOR DEVICEAND 555FABRICATIONMETHOD THEREOF 556"15/587，评估项目组人员对委估资产进行了详细了解，000，中联资产评估集团有限公司第60页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告委托人及被评估单位对其提供资料的真实性、完整性负责，同时，根据生产厂家与设备安装所在地的距离不同，估值结果说服力强的特点。

市场法常用的两种具中联资产评估集团有限公司第50页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告体方法是上市公司比较法和交易案例比较法，二、委托人或者其他资产评估报告使用人应当按照法律、行政法规规定和资产评估报告载明的使用范围使用资产评估报告；委托人或者其他资产评估报告使用人违反前述规定使用资产评估报告的，工期按建设正常合理周期计算，241.963，是在企业主要资产的所在地现场进行。

宗地(丘)面积为100。

考虑到该行业存在可比上市公司，539.32万元， (2)无形资产-其他无形资产无形资产-其他无形资产为企业外购的软件，167。

评估是在企业经过审计后的基础上进行的，上海皓芯投资管理有限公司将所持有的剩余全部9.615%所有者权益转让给上海硅产业集团股份有限公司，并不会出现不可预见的因素导致其无法持续经营。

评估对象为上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益，故不适用假设开发法；由于该地区动迁政策情况等基础资料无法查得，仍处于保密阶段的专利） (五)企业申报的表外资产的类型、数量截止评估基准日。

本次评估选用成本法对无形资产进行评估，按照本次评估确定采用的评估方法，成新率根据房屋已使用年限和尚可使用年限计算，是企业在某时点所反映的外部市场价格，二、评估目的根据上海新昇《临时董事会决议》（2020临董002号），主要通过市场调研和查询有关资料，本次选用资产基础法评估结果作为最终评估结论，未来没有重新开发的计划，委托评估对象和评估范围与经济行为涉及的评估对象和评估范围一致，增值率229.20%， (五)重大期后事项期后事项是指评估基准日之后出具评估报告之前发生的重大事项。

并计算修正后的价值比率，经清查，了解企业的财务制度、经营状况、固定资产技术状态等情况； 2.对企业提供的资产评估申报明细表进行审核、鉴别，000.0042.31 4上海皓芯投资管理有限公司10， (3)预付账款对预付账款的评估，成本法评估一般适用于经营与收益之间不存在较稳定的对应关系，在对设备进行清查时，也是本次经济行为涉及的股权受让方，其他任何机构和个人不能成为资产评估报告的使用人，为上述经济行为提供价值参考依据，000.00万元，543.0641，011.98155，共19幢建筑物、包括拉晶厂房、动力站、切磨抛厂房、生产厂房A、中试楼、增压泵房及门卫等，对企业申报的评估范围内资产进行清查和核实。

涉及法定评估业务的资产评估报告，结合设备的经济使用寿命、现场勘察情况预计设备尚可使用年限，因此市场法在本次评估应用中可操作性较差，041发明2016/6/9在受理美国 FORMINGWAFER 563VACUUMTUBE NONVOLATILE MEMORYANDTHE15/161，达到世界先进水平，具体如下：序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国石英腔体的固定治具及清 1201620490839.2实用新型2016/5/252026/5/24授权中国洗装置 2一种气体管路201620691686.8实用新型2016/7/12026/6/30授权中国 3气体处理装置201620692353.7实用新型2016/7/42026/7/3授权中国 4硅单晶棒回收装置201620480717.5实用新型2016/5/242026/5/23授权中国 5晶盒封装装置201620480746.1实用新型2016/5/242026/5/23授权中国 6晶盒包装装置201620486186实用新型2016/5/252026/5/24授权中国 7尾气管路加热装置201620623889.3实用新型2016/6/222026/6/21授权中国 8化学品供应装置201620560353.1实用新型2016/6/122026/6/11授权中国 9一种晶棒固定装置201621296061.8实用新型2016/11/292026/11/28授权中国制作用于测量硅片表面的 10201720678057.6实用新型2017/6/122027/6/11授权中国金属量的样品的蚀刻台 11一种硅片清洗槽201720878845.X实用新型2017/7/192027/7/18授权中国一种用于多线切割机的收 12201720808208.5实用新型2017/7/52027/7/4授权中国线轴以及多线切割机硅单晶棒回收装置及方 13201510661933.X发明2015/10/142035/10/13授权中国法、液氮供应装置 14半导体结构及其形成方法201510658749.X发明2015/10/132035/10/12授权中国 15半导体结构及其形成方法201510659197.4发明2015/10/132035/10/12授权中国场效应晶体管及其制备方 16201510667042.5发明2015/10/152035/10/14授权中国法单晶硅锭及晶圆的形成方 17201510672144.6发明2015/10/152035/10/14授权中国法中联资产评估集团有限公司第12页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国互补场效应晶体管及其制 18201510671009.X发明2015/10/152035/10/14授权中国备方法 19反应炉201721034930.4实用新型2017/8/172027/8/16授权中国 20硅片研磨和清洗装置201721880326.3实用新型2017/12/282027/12/27授权中国 21集电装置及半导体设备201721149829.3实用新型2017/9/82027/9/7授权中国一种用于晶棒外径研磨的 22201820150775.0实用新型2018/1/292028/1/28授权中国夹具及研磨装置 23一种拉晶炉201821161235.9实用新型2018/7/202028/7/19授权中国一种应用于单晶炉的冷却 24201821169882.4实用新型2018/7/202028/7/19授权中国装置及单晶炉 25SOI衬底及其制备方法201510683914.7发明2015/10/202035/10/19授权中国绝缘体上III-V化合物衬 26201510703722.8发明2015/10/262035/10/25授权中国底的制备方法高压无结场效应器件及其 27201510749582.8发明2015/11/62035/11/5授权中国形成方法具有漂移区的高压无结场 28201510765530.X发明2015/11/112035/11/10授权中国效应器件及其形成方法监测基座温度均匀性的方 29201510900577.2发明2015/12/82035/12/7授权中国法监测基座温度均匀性的方 30201510901208.5发明2015/12/82035/12/7授权中国法真空管闪存结构之制造方 31201610120869.9发明2016/3/32036/3/2授权中国法真空纳米管场效应晶体管 32201610307379.X发明2016/5/102036/5/9授权中国及其制造方法真空纳米管场效应晶体管 33201610307101.2发明2016/5/102036/5/9授权中国及其制造方法基于二维电子气的低功耗 34201610352710.X发明2016/5/142036/5/13授权中国氢气传感器及其制造方法一种晶圆片架的取放片装 35201610588892.0发明2016/7/252036/7/24授权中国置一种OLED结构及其制作 36201611256318.1发明2016/12/302036/12/29授权中国方法 37一种真空吸笔201821768321.6实用新型2018/10/292028/10/28授权中国 38-201920230383.X实用新型2019/2/212029/2/20授权中国 39晶盒包装装置201620486186.0实用新型2016/5/252026/5/24授权中国 40垂直晶体管及其制备方法201510703700.1发明2015/10/26在受理中国高压无结场效应器件及其 41201510746889.2发明2015/11/6在受理中国形成方法双沟道FinFET器件及其 42201510844310.6发明2015/11/26在受理中国制造方法具有漂移区和渐变沟道的 43高压无结场效应器件及其201510924724.X发明2015/12/11在受理中国形成方法单晶硅锭及晶圆的形成方 44201510939120.2发明2015/12/15在受理中国法中联资产评估集团有限公司第13页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国互补纳米线半导体器件 45201510943725.9发明2015/12/15在受理中国及其制造方法全密封真空纳米管场效应 46201510981410.3发明2015/12/23在受理中国晶体管及其制造方法垂直真空密封碳纳米管场 47201510981315.3发明2015/12/23在受理中国效应晶体管及其制造方法 48晶圆热处理的方法201610120844.9发明2016/3/3在受理中国 49晶圆热处理的方法201610120562.9发明2016/3/3在受理中国绝缘层上顶层硅衬底及其 50201610120843.4发明2016/3/3在受理中国制造方法单晶硅的生长方法及其制 51201610120879.2发明2016/3/3在受理中国备的单晶硅锭互补纳米线半导体器件及 52201610120564.8发明2016/3/3在受理中国其制备方法绝缘层上顶层硅衬底及其 53201610120565.2发明2016/3/3在受理中国制造方法鳍状场效应晶体管及其制 54201610120577.5发明2016/3/3在受理中国备方法绝缘层上顶层硅衬底及其 55201610120580.7发明2016/3/3在受理中国制造方法鳍状场效应晶体管及其制 56201610120862.7发明2016/3/3在受理中国备方法 57半导体结构及其形成方法201610319775.4发明2016/5/13在受理中国 58微电子结构及其形成方法201610293503.1发明2016/5/5在受理中国液晶显示器面板及其像素 59201610173628.0发明2016/3/24在受理中国单元的制备方法液晶显示器面板及其像素 60201610318473.5发明2016/5/13在受理中国单元的制备方法真空管闪存结构及其制造 61201610173638.4发明2016/3/24在受理中国方法提高硅晶片外延层表面平 62201610278896.9发明2016/4/28在受理中国整度的方法 63微电子结构及其形成方法201610293052.1发明2016/5/5在受理中国双栅极石墨烯场效应晶体 64201610173661.3发明2016/3/24在受理中国管及其制造方法制造石墨烯场效晶体管的 65201610356807.8发明2016/5/26在受理中国方法降低预抽腔体中芯片温度 66201610218470.4发明2016/4/8在受理中国的方法及芯片降温装置减少外延衬底缺陷的形成 67201610205601.5发明2016/4/1在受理中国方法减少外延衬底缺陷的形成 68201610293626.5发明2016/5/5在受理中国方法伯努利基座装置及沉积设 69201610236823.3发明2016/4/15在受理中国备伯努利基座装置及沉积设 70201610237813.1发明2016/4/15在受理中国备伯努利基座装置及沉积设 71201610237765.6发明2016/4/15在受理中国备中联资产评估集团有限公司第14页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国表面声波器件及其制造方 72201610236703.3发明2016/4/15在受理中国法、温度检测设备 73晶圆金属污染的评估方法201610237873.3发明2016/4/15在受理中国 74晶圆控片及其制造方法201610278144.2发明2016/4/28在受理中国基板的抓取装置及其抓取 75201610482087.X发明2016/6/27在受理中国方法 76石英腔体的清洗方法201610356764.3发明2016/5/25在受理中国 77晶盒清洗设备201610596315.6发明2016/7/27在受理中国 78一种外延生长方法201610463905.1发明2016/6/26在受理中国 79外延生长设备201610353583.5发明2016/5/25在受理中国 80外延设备腔室盖板201610278900.1发明2016/4/28在受理中国 81外延设备201610278856.4发明2016/4/28在受理中国石英腔体的清洗装置及清 82201610356861.2发明2016/5/25在受理中国洗方法一种机械手臂及基板的抓 83201610443457.9发明2016/6/20在受理中国取方法机械手臂的监控系统及监 84201610428174.7发明2016/6/16在受理中国控方法 85低温外延方法及设备201610327612.0发明2016/5/17在受理中国 86熔体设备的保护装置201610328847.1发明2016/5/17在受理中国 87一种晶圆的双面抛光方法201610332985.7发明2016/5/18在受理中国环栅III-V量子阱晶体管 88及锗无结晶体管及其制造201610352706.3发明2016/5/24在受理中国方 89一种晶圆定位装置及方法201610326082.8发明2016/5/17在受理中国一种吸附材料、吸附装置 90201610349293.3发明2016/5/24在受理中国及制备方法基于表面声波的湿度传感 91201610352725.6发明2016/5/24在受理中国器及其制造方法一种晶圆支持板组件、抛 92201610473618.9发明2016/6/24在受理中国光装置及晶圆精抛光方法一种线切割砂浆供应系统 93201610472257.6发明2016/6/24在受理中国及方法一种抛光液供应系统及方 94201610451540.0发明2016/6/21在受理中国法 95一种单晶硅生长炉201610423045.9发明2016/6/15在受理中国 96一种低温外延方法及装置201610435872.X发明2016/6/17在受理中国 97一种溶剂混合器201610395471.6发明2016/6/6在受理中国一种基于纳米线的高电子 98迁移率晶体管及其制作方201610473359.X发明2016/6/24在受理中国法一种形成氧化层和外延层 99201610537121.9发明2016/7/8在受理中国的方法中联资产评估集团有限公司第15页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国项目任务分配方法、装 100置、计算机设备和项目管201610541476.5发明2016/7/11在受理中国理系统一种半导体晶片湿法清洗 101201610485915.5发明2016/6/28在受理中国设备 102直拉生长单晶硅的方法201610544093.3发明2016/7/12在受理中国在石英坩埚中制备硅熔融 103201610543465.0发明2016/7/12在受理中国体的方法一种存储器结构及其制备 104201610589314.9发明2016/7/25在受理中国方法 105一种晶圆减薄方法及装置201610638222.5发明2016/8/5在受理中国一种晶圆减薄方法及减薄 106201610637636.6发明2016/8/5在受理中国的晶圆结构一种刻蚀方法、刻蚀装置 107201610778065.8发明2016/8/30在受理中国及半导体晶圆分割方法一种外延设备、设备制作 108201610664963.0发明2016/8/12在受理中国方法及外延方法 109一种拉晶炉的拉晶机构201610814793.X发明2016/9/9在受理中国一种半导体晶盒清洗干燥 110201610850773.8发明2016/9/26在受理中国储存一体化方法及设备一种半导体晶圆的抛光方 111201610898646.5发明2016/10/14在受理中国法 112半导体晶圆的抛光方法201610899466.9发明2016/10/14在受理中国一种纳米线存储器结构及 113201610679692.6发明2016/8/17在受理中国其制备方法一种纳米管存储器结构及 114201610681644.0发明2016/8/17在受理中国其制备方法一种减少自掺杂的底座及 115201610664993.1发明2016/8/12在受理中国外延设备一种基于伯努利效应的底 116201610670487.3发明2016/8/15在受理中国座及外延设备一种温度传感器及测温方 117201610815681.6发明2016/9/8在受理中国法一种基于负电容的环栅场 118201610833429.8发明2016/9/20在受理中国效应晶体管及其制作方法热屏组件及单晶提拉炉热 119201610728299.1发明2016/8/25在受理中国场结构异型加热器及单晶提拉炉 120201610725182.8发明2016/8/25在受理中国热场结构一种化学机械抛光液及其 121201611084494.1发明2016/11/30在受理中国制备方法微波退火制备3DNAND 122201610842148.9发明2016/9/22在受理中国的方法晶圆键合方法及其键合装 123201610908069.3发明2016/10/18在受理中国置显示屏的保护层及其形成 124方法以及显示屏及其形成201610844205.7发明2016/9/22在受理中国方法 125一种拉晶炉201610874607.1发明2016/9/30在受理中国中联资产评估集团有限公司第16页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 126一种单晶炉201610818921.8发明2016/9/12在受理中国 127籽晶夹头及直拉单晶炉201610805126.5发明2016/9/6在受理中国 128校准晶片及其制造方法201610876793.2发明2016/9/30在受理中国掺杂气体缓冲装置、掺杂 129201610825552.5发明2016/9/14在受理中国气体供给装置及方法互补CMOS管的制造方 130201610916657.1发明2016/10/20在受理中国法一种多晶硅二次加料装置 131201610825530.9发明2016/9/14在受理中国及方法一种磁控去除硅化物颗粒 132201611091074.6发明2016/12/1在受理中国的尾气处理装置一种互补晶体管器件结构 133201610986588.1发明2016/11/9在受理中国及其制作方法一种半导体晶片湿法清洗 134201610971358.8发明2016/11/3在受理中国设备改善晶圆表面切割形貌的 135201611139742.8发明2016/12/12在受理中国线切割系统浮区法生长晶体的设备及 136201611022589.0发明2016/11/17在受理中国方法坩埚、坩埚的制备方法及 137201611024115.X发明2016/11/17在受理中国 4H-SiC晶体的生长方法 4H-SiC晶体生长设备及 138201611022469.0发明2016/11/17在受理中国方法一种带有溢流腔的尾气处 139201611060006.3发明2016/11/24在受理中国理装置 140校准晶片及其制造方法201610934480.8发明2016/10/25在受理中国 141自动进料系统及进料方法201610953027.1发明2016/11/3在受理中国单晶生长炉热屏及其制造 142201610959752.X发明2016/10/28在受理中国方法 143基于FTIR的表征设备201610987721.5发明2016/11/10在受理中国 1444H-SiC晶体生长方法201611116598.6发明2016/12/7在受理中国晶片放置装置和晶片定向 145201710051656.X发明2017/1/19在受理中国仪 146晶圆表面平坦度测量系统201611100690.3发明2016/12/5在受理中国 147测量方法201611113180.X发明2016/12/7在受理中国 148抛光设备及检测方法201710254306.3发明2017/4/18在受理中国一种栅阵列无结半导体沟 149道存储器结构及其制备方201611236887.X发明2016/12/28在受理中国法一种无结半导体沟道栅阵 150列存储器结构及其制备方201611236881.2发明2016/12/28在受理中国法一种神经元晶体管结构及 151201611235603.5发明2016/12/28在受理中国其制备方法神经元晶体管结构及其制 152201611235618.1发明2016/12/28在受理中国备方法中联资产评估集团有限公司第17页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国真空管场效应晶体管阵列 153201611204711.6发明2016/12/23在受理中国及其制造方法晶棒线切割装置及晶棒线 154201611100725.3发明2016/12/5在受理中国切割方法具有黑磷沟道层的低接触 155电阻率FinFET及其制备201611100748.4发明2016/12/5在受理中国方法一种硅片研磨装置及其研 156201611264423.X发明2016/12/30在受理中国磨方法 157硅片的制作方法201710068794.9发明2017/2/8在受理中国 SiC晶体切片移动设备及 158201611167941.X发明2016/12/16在受理中国移动方法 SiC晶体切片设备及切片 159201611154276.0发明2016/12/14在受理中国方法基于水平激光照射的晶圆 160201611261713.9发明2016/12/30在受理中国减薄设备及方法基于激光水射流的晶圆减 161201611261712.4发明2016/12/30在受理中国薄设备及方法 162一种晶圆传片结构201611247974.5发明2016/12/29在受理中国一种碳纳米管束场效应晶 163201710004518.6发明2017/1/4在受理中国体管阵列及其制造方法一种后栅无结与非门闪存 164201710028176.1发明2017/1/13在受理中国存储器及其制作方法 165籽晶夹头及单晶提拉炉201710056545.8发明2017/1/25在受理中国竖直插入式阻挡脚及伯努 166201710062833.4发明2017/1/25在受理中国利吸盘适用于单片式外延炉的分 167201710056500.0发明2017/1/25在受理中国离式基座组件 168宏观划痕长度测量装置201710062812.2发明2017/1/25在受理中国 169一种坩埚轴升降装置201710272634.6发明2017/4/24在受理中国具有原子级平整表面的薄 170201710135017.1发明2017/3/8在受理中国膜的制备方法自对准晶种层及自对准薄 171201710134405.8发明2017/3/8在受理中国膜的制备方法一种光导开关及其制备方 172201710254689.4发明2017/4/18在受理中国法一种多腔室外延炉及其气 173201710272639.9发明2017/4/24在受理中国压调节方法 174一种外延炉硅片基座201710272642.0发明2017/4/24在受理中国硅片夹、检测装置及其检 175201710244785.0发明2017/4/14在受理中国测方法一种多晶硅自动进料系统 176201710254683.7发明2017/4/18在受理中国及其方法 177一种直拉单晶硅方法201710188098.1发明2017/3/27在受理中国 178晶圆表面平坦化方法201710261391.6发明2017/4/20在受理中国 179晶圆表面平坦化方法201710262317.6发明2017/4/20在受理中国中联资产评估集团有限公司第18页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国一种减少晶片缺陷的设备 180201710193119.9发明2017/3/28在受理中国及方法 181一种晶片吸杂方法201710193120.1发明2017/3/28在受理中国 182一种坩埚及制造方法201710209422.3发明2017/3/31在受理中国一种可用作挡片或控片的 183201710208599.1发明2017/3/31在受理中国晶片制备方法及晶片一种半导体衬底的制作方 184201710208601.5发明2017/3/31在受理中国法切割线材、切割机台以及 185201710230087.5发明2017/4/10在受理中国切割方法 186一种调整装置及清洗机201710368879.9发明2017/5/23在受理中国 187硅片切割装置201710272188.9发明2017/4/24在受理中国 188等离子体发生装置201710272198.2发明2017/4/24在受理中国 189晶圆处理方法201710254307.8发明2017/4/18在受理中国 190一种硅片的干燥方法201710350286.X发明2017/5/18在受理中国 191圆表面处理装置及方法201710304837.9发明2017/5/3在受理中国基于伯努利原理的边缘研 192磨基座、边缘研磨系统及201710262320.8发明2017/4/20在受理中国方法 193伯努利吸盘201710262327.X发明2017/4/20在受理中国氧化硅生长系统、方法及 194半导体测试结构的制作方201710312425.X发明2017/5/5在受理中国法 195一种单晶提拉炉热场结构201710356903.7发明2017/5/19在受理中国一种带有水冷套的热屏组 196201710357457.1发明2017/5/20在受理中国件及单晶提拉炉热场结构晶棒的测试方法以及晶棒 197201710487582.4发明2017/6/23在受理中国生长装置冷却装置、单晶炉和晶棒 198201710424211.1发明2017/6/7在受理中国的冷却方法 199晶圆顶针及其形成方法201710525497.2发明2017/6/30在受理中国 200衬底及其制作方法201710406672.6发明2017/6/2在受理中国 201石墨坩埚及其制造方法201710412082.4发明2017/6/2在受理中国 202石墨坩埚及其制造方法201710406654.8发明2017/6/2在受理中国 203目检装置201710317403.2发明2017/5/5在受理中国 204晶圆平坦度测量装置及晶 201710312102.0发明2017/5/5在受理中国圆平坦度测量系统 205一种硅单晶引晶结构及工 201710343971.X发明2017/5/16在受理中国艺 206支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹201710439022.1发明2017/6/12在受理中国的方法 207分离式卡盘装置以及晶元 201710582457.1发明2017/7/17在受理中国的研磨工艺中联资产评估集团有限公司第19页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 208研磨台清洗装置及其清洗 201710586286.X发明2017/7/18在受理中国方法 209砂浆导液槽、砂浆供应装 201710370069.7发明2017/5/23在受理中国置及晶圆切割系统 210砂浆供应装置201710375312.4发明2017/5/24在受理中国 211一种半导体器件及其制造 201710534165.0发明2017/7/3在受理中国方法、电子装置 212一种半导体器件及其制造 201710485112.4发明2017/6/23在受理中国方法、电子装置 213衬托器、气相生长装置及 201710620096.5发明2017/7/26在受理中国气相生长方法 214气相生长装置及气相生长 201710620046.7发明2017/7/26在受理中国方法 215一种背面密封晶片的方法201710537508.9发明2017/7/4在受理中国 216一种背面密封晶片的方法201710537506.X发明2017/7/4在受理中国 217背面密封晶片的方法201710538436.X发明2017/7/4在受理中国 218晶片背面密封的方法201710541857.8发明2017/7/4在受理中国 219衬底支撑装置以及外延生 201710713577.0发明2017/8/18在受理中国长设备 220一种半导体晶圆最终抛光 201710641819.X发明2017/7/31在受理中国后的清洗方法 221一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗201710639489.0发明2017/7/31在受理中国方法 222一种半导体晶圆的清洗方 201710639479.7发明2017/7/31在受理中国法 223一种用于晶圆的目视检测 201710600948.4发明2017/7/21在受理中国机及检测方法 224一种GaN器件及其制造 201710587413.8发明2017/7/18在受理中国方法、电子装置 225一种半导体器件及其制造 201710587405.3发明2017/7/18在受理中国方法、电子装置 226改善外延硅片表面平坦度 201710868142.3发明2017/9/22在受理中国的方法 227一种SiC外延表面的预处 201710841324.1发明2017/9/18在受理中国理及外延生长方法 228一种SiC外延层的制备方 201710911736.8发明2017/9/29在受理中国法及装置 229一种调控掺杂浓度的SiC 201711024669.4发明2017/10/27在受理中国生长方法及装置 230一种晶圆寻边装置201710802096.7发明2017/9/7在受理中国 231一种抛光盘基座、抛光盘、抛光机以及最终抛光201710829117.4发明2017/9/14在受理中国方法 232一种晶圆及其制造方法、 201710780544.8发明2017/9/1在受理中国电子装置 233一种晶圆载具及用于操作 201710867571.9发明2017/9/22在受理中国所述晶圆载具的机械手中联资产评估集团有限公司第20页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 234一种硅片的处理方法201711271080.4发明2017/12/5在受理中国 235一种晶圆承载装置201710823944.2发明2017/9/13在受理中国 236一种硅片少子寿命的测试 201710833597.1发明2017/9/15在受理中国方法及测试装置 237一种硅片少子寿命的测试 201710859782.8发明2017/9/21在受理中国装置 238一种晶棒的切割方法及切 201710792762.3发明2017/9/5在受理中国割装置 239一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清201710839318.2发明2017/9/15在受理中国洗方法 240抛光设备及方法201711047198.9发明2017/10/31在受理中国 241一种抛光设备201711049908.1发明2017/10/31在受理中国 242晶圆清洗方法及清洗装置201711173925.6发明2017/11/22在受理中国 243一种硅片批量清洗干燥方 201711173913.3发明2017/11/22在受理中国法及装置 244快速热处理装置及方法201711237366.0发明2017/11/30在受理中国 245一种晶片及其制造方法、 201711192027.5发明2017/11/24在受理中国电子装置 246一种长晶炉及长晶炉的水 201711160854.6发明2017/11/20在受理中国冷套 247一种用于长晶的坩埚装置201711160851.2发明2017/11/20在受理中国 248一种拉晶系统和拉晶方法201711176669.6发明2017/11/22在受理中国 249一种拉晶系统和拉晶方法201711174291.6发明2017/11/22在受理中国 250热屏及单晶硅生长炉结构201711368190.2发明2017/12/18在受理中国 251热屏及单晶硅生长炉结构201711368216.3发明2017/12/18在受理中国 252热屏及单晶硅生长炉结构201711365658.2发明2017/12/18在受理中国 253一种硅片测试台201810247686.2发明2018/3/23在受理中国 254一种晶圆夹持机械手臂及 201810338638.4发明2018/4/16在受理中国其清洗晶圆的方法 255一种用于晶体直径测量的 201810084837.7发明2018/1/29在受理中国自动校准方法及校准系统 256一种拉晶系统201810059354.1发明2018/1/22在受理中国 257一种改善外延片污染印记 201810061254.2发明2018/1/22在受理中国的方法 258一种半导体薄膜平坦度改 201810058937.2发明2018/1/22在受理中国善的方法 259外延炉冷却系统及冷却方 201810747275.X发明2018/7/9在受理中国法 260一种应用于单晶炉的冷却 201810804122.4发明2018/7/20在受理中国装置及单晶炉 261一种拉晶炉201810806334.6发明2018/7/20在受理中国 262硅片的返工系统及方法201810821335.8发明2018/7/24在受理中国中联资产评估集团有限公司第21页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 263外延片的制备方法201810835104.2发明2018/7/26在受理中国 264研磨平台及研磨设备201810836382.X发明2018/7/26在受理中国 265基于模拟方式获得外延度 201810837465.0发明2018/7/26在受理中国的方法 266外延基座及外延设备201810903652.4发明2018/8/9在受理中国 267长晶炉校验系统和长晶炉 201810997982.4发明2018/8/29在受理中国校验方法 268外延灯管辅助检测装置及 201811169153.3发明2018/10/8在受理中国其检测方法 269一种校准外延腔温度的方 201811253222.9发明2018/10/25在受理中国法 270一种单晶硅晶棒的长晶方 201811267643.7发明2018/10/29在受理中国法 271一种单晶硅晶棒的长晶方 201811267664.9发明2018/10/29在受理中国法 272一种晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储201811272388.5发明2018/10/29在受理中国介质 273一种晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储201811272682.6发明2018/10/29在受理中国介质 274一种直拉法引晶方法201811308065.7发明2018/11/5在受理中国 275一种晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储201811330586.2发明2018/11/8在受理中国介质 276一种单晶生长炉的反射屏 201811340095.6发明2018/11/12在受理中国及单晶生长炉 277一种晶体生长炉的导流筒 201811472539.1发明2018/12/4在受理中国和晶体生长炉 278一种晶棒切片方法201811477262.1发明2018/12/5在受理中国 279一种晶棒切片装置201811477274.4发明2018/12/5在受理中国 280一种晶棒切片装置201811477279.7发明2018/12/5在受理中国 281一种晶棒切片装置和方法201811477291.8发明2018/12/5在受理中国 282一种晶棒切片装置201811477368.1发明2018/12/5在受理中国 283晶圆盒放置架及晶圆存储 201811518717.X发明2018/12/12在受理中国柜 284晶圆盒检测系统及晶圆出 201811518729.2发明2018/12/12在受理中国货管理方法 285一种晶圆测试装置和方法201811520405.2发明2018/12/12在受理中国 286一种晶圆夹持机械手臂组 201811521689.7发明2018/12/13在受理中国件 287晶圆基座安装工具201811525648.5发明2018/12/13在受理中国 288分体式导流筒201811525881.3发明2018/12/13在受理中国 289加热式导流筒201811527817.9发明2018/12/13在受理中国中联资产评估集团有限公司第22页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 290一种树脂垫板及半导体晶 201821631102.3实用新型2018/10/8在受理中国体切割机 291-201910182532.4发明2019/3/12在受理中国 292-201910182531.X发明2019/3/12在受理中国 293-201920066642.X实用新型2019/1/15在受理中国 294-201910156340.6发明2019/3/1在受理中国 295-201910181965.8发明2019/3/11在受理中国 296-201910151553.X发明2019/2/28在受理中国 297-201910181545.X发明2019/3/11在受理中国 298-201910104706.5发明2019/2/1在受理中国 299晶棒结构201920776775.6实用新型2019/5/27在受理中国 300固定连接部、研磨头组件 201910347208.3发明2019/4/28在受理中国及抛光设备 301一种晶体生长装置201920645452.3实用新型2019/4/30在受理中国 302提高晶圆抛光平坦度的方 201910402705.9发明2019/5/15在受理中国法及硅片加工方法 303-201910329242.8发明2019/4/23在受理中国 304-201910363973.4发明2019/4/30在受理中国 305-201910362435.3发明2019/4/30在受理中国 306-201910402699.7发明2019/5/15在受理中国 307-201910357352.5发明2019/4/29在受理中国 308-201910734324.0发明2019/8/9在受理中国 309-201910488829.3发明2019/6/6在受理中国 310-201910913689.X发明2019/9/25在受理中国 311-201910527023.0发明2019/6/18在受理中国 312-201910527727.8发明2019/6/18在受理中国 313-201910527014.1发明2019/6/18在受理中国 314-201910527728.2发明2019/6/18在受理中国 315-201910860775.9发明2019/9/11在受理中国 316集尘罐、单晶生长设备及 201910671773.5发明2019/7/24在受理中国单晶生长方法 317一种用于晶体生长的坩埚 201910841934.0发明2019/9/6在受理中国底座装置 318清洗槽及修整器清洗系统201921171920.4实用新型2019/7/24在受理中国 319一种硅单晶的生长方法201910899811.2发明2019/9/23在受理中国 320一种晶体生长装置201910860777.8发明2019/9/11在受理中国 321一种晶体生长装置201910860787.1发明2019/9/11在受理中国 322一种晶体生长装置201910859971.4发明2019/9/11在受理中国中联资产评估集团有限公司第23页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 323一种晶棒切割装置和方法201910636557.7发明2019/7/15在受理中国 324治具201921572072.8实用新型2019/9/20在受理中国 325清洗槽及修整器清洗系统201921572089.3实用新型2019/9/20在受理中国 326清洗槽及修整器清洗系统201921572087.4实用新型2019/9/20在受理中国 327外延层的形成方法201510658742.8发明2015/10/15在受理中国 328晶圆的形成方法201510659200.2发明2015/10/13在受理中国 329真空管闪存结构及其制造 201510658550.7发明2015/10/12在受理中国方法 330单晶硅锭及晶圆的形成方 201510667035.5发明2015/10/15在受理中国法 331CMOS结构及其制备方法201510683929.3发明2015/10/20在受理中国 332量子阱器件及其形成方法201510707751.1发明2015/10/27在受理中国 333量子阱器件及其形成方法201510707771.9发明2015/10/27在受理中国 334单晶硅的生长方法及其制 201610120860.8发明2016/3/3在受理中国备的单晶硅锭 335石墨烯场效应晶体管及其 201610173589.4发明2016/3/24在受理中国制造方法 336降低预抽腔体中芯片温度 201610218416.X发明2016/4/8在受理中国的方法及芯片降温装置 337区熔法生长硅单晶用气体喷射与射频加热一体装置201610140082.9发明2016/3/11在受理中国及方法 338单晶硅锭及晶圆的形成方 201610224914.5发明2016/4/12在受理中国法 339伯努利基座201610278821.0发明2016/4/28在受理中国 340纳米线半导体器件及其制 201610150107.3发明2016/3/16在受理中国造方法 341一种激光退火装置及激光 201610334207.1发明2016/5/19在受理中国退火方法 342一种晶圆的精抛光方法201610331501.7发明2016/5/18在受理中国 343刻蚀方法、刻蚀装置及半 201610778104.4发明2016/8/30在受理中国导体晶圆分割方法 344超导带及其制造方法201610985266.5发明2016/10/25在受理中国 345一种复合石墨烯超导带材 201710209379.0发明2017/3/31在受理中国结构及其制备方法 346一种复合碳纳米管超导芯 201710209378.6发明2017/3/31在受理中国线材结构及其制备方法 347真空管快闪记忆体结构与 I5564132016.11.12036.3.9授权台湾其制造方法 348量子阱装置及其形成方法I5693372017.2.12036.3.2授权台湾 349高压无接面场效应元件及 I5650072017.1.12036.3.9授权台湾其形成方法 350垂直真空密封奈米碳管場 I5693142017.2.12036.6.6授权台湾效電晶體及其製造方法中联资产评估集团有限公司第24页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 351鳍状场效电晶体及其制备 I5731822017.2.12036.6.6授权台湾方法 352石英腔體的固定治具及清 M5362412017.2.12026.11.3授权台湾洗裝置 353SOI基底及其製備方法I5874462017/6/112037/6/10授权台湾 354晶圓的形成方法I5930232016/3/82016/3/8授权台湾 355半導體結構及其形成方法I5943352016/3/72016/3/7授权台湾 356垂直電晶體及其至製備方 I5990382016/3/142036/3/13授权台湾法 357單晶矽晶錠及晶圓的形成 I5897372016/3/142016/3/14授权台湾方法 358場效電晶體及其製備方法I5785322016/3/112016/3/11授权台湾 359CMOS結構其製備方法I5967082016/1/252016/1/25授权台湾 360絕緣體上三五族化合物基 I5903072017/7/12037/6/30授权台湾板的製備方法 361量子阱元件及其形成方法I5785312017/4/112037/4/10授权台湾 362高壓無接面場效元件及其 I5889442017/6/212037/6/20授权台湾製造方法 363雙通道FinFET元件及其 I5875042017/6/112037/6/10授权台湾製造方法 364具有漂移區和漸變通道的高壓無接面場效應元件及I5874042017/6/112037/6/10授权台湾其形成方法 365互補奈米線半導體元件及 I5858322017/6/12037/5/31授权台湾其製造方法 366全密封真空奈米碳管場效 I5943072017/8/12037/7/31授权台湾電晶體及其製造方法 367晶圓熱處理的方法(二)I5852502017/6/12037/5/31授权台湾 368單晶矽之成長方法及其製 I5778412017/4/112037/4/10授权台湾備之單晶矽錠（二） 369絕緣層上覆矽基板及其製 I5929872017/7/212037/7/20授权台湾造方法 370真空管快閃記憶體結構之 I5694202017/2/12037/1/31授权台湾製造方法 371半導體結構及其形成方法I5873712017/6/112037/6/10授权台湾 372液晶顯示器面板及其畫素 I5899742017/7/12037/6/30授权台湾單元的製備方法 373真空管快閃記憶體結構 I5903892017/7/12037/6/30授权台湾之製造方法 374提高矽晶片磊晶層表面平 I6000712016/9/102036/9/9授权台湾整度之方法 375微電子結構及其形成方 I6001642016/9/232036/9/22授权台湾法(一) 376雙閘極石墨烯場效電晶體 I5917292017/7/112037/7/10授权台湾及其製造方法 377降低預抽腔體中晶片溫 I5769702017/4/12037/3/31授权台湾度的方法及晶片降溫裝置中联资产评估集团有限公司第25页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 378表面聲波裝置的製造方法 I5944692017/8/12037/7/31授权台湾及溫度檢測設備 379區熔法生長單晶矽用氣體噴射與射頻加熱一體裝置I5925232017/7/212037/7/20授权台湾及方法 380晶圓控片及其製造方法I6000702016/9/92036/9/8授权台湾 381真空奈米管場效電晶體及 I5890042017/6/212037/6/20授权台湾其製造方法 382熔體設備的保護裝置I5925282017/7/212037/7/20授权台湾 383一種低溫磊晶方法及裝置I5916992017/7/112037/7/10授权台湾 384一種半導體晶圓的拋光方 I5966682017/4/272037/4/26授权台湾法 385一種奈米線記憶體結構及 I5874882017/6/112037/6/10授权台湾其製造方法 386半導體結構及其形成方法I6055242016/3/82036/3/7授权台湾 387互補金氧半場效電晶體及 I6046042016/3/82036/3/7授权台湾其製備方法 388絕緣層上覆矽基板及其製 I6114622016/6/152036/6/14授权台湾造方法 389製造石墨烯場效電晶體之 I6045352016/10/72036/10/6授权台湾方法 390減少磊晶晶圓缺陷的形成 I6085392016/9/142036/9/13授权台湾方法 391單晶矽錠及晶圓的形成方 1051262832016/8/172036/8/16授权台湾法 392真空奈米管場效電晶體及 I5989632016/9/212036/9/20授权台湾其製造方法 393石英腔体的清洗裝置及清 1051351402016/10/282036/10/27授权台湾洗方法 394機械手臂及基板的抓取方 I6103972016/11/172036/11/16授权台湾法 395晶圓的雙面拋光方法1051331112016/10/132036/10/12授权台湾 396一種單晶矽生長爐1051369492016/11/112036/11/10授权台湾 397一種基於奈米線的高電子遷移率電晶體及其製作方I6079612016/11/292036/11/28授权台湾法 398一種形成氧化層和磊晶層 I6081332016/12/22036/12/1授权台湾的方法 399在石英坩堝中製備矽熔融 I6099972016/12/142036/12/13授权台湾體的方法 400晶圓片架的取放片裝置I6045572017/1/232037/1/22授权台湾 401一種晶圓薄化方法及裝置I6022332016/12/212036/12/20授权台湾 402一種晶圓薄化方法及薄化 I6022172016/12/232036/12/22授权台湾的晶圓結構 403一種蝕刻裝置及半導體晶 I6022262017/2/102037/2/9授权台湾圓分割方法 404一種奈米管記憶體結構及 I6115632017/1/42037/1/3授权台湾其製造方法中联资产评估集团有限公司第26页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 405白努利效應的底座及磊晶 1051437072016/12/282036/12/27授权台湾設備 406晶圓表面平坦度測量系統1061155192017/5/102037/5/9授权台湾 407磊晶层的形成方法1051065302016/3/32036/3/2授权台湾 408矽單晶棒回收裝置、矽單晶棒回收方法、以及液氮1051070852016/3/82036/3/7授权台湾供應裝置 409單晶矽晶錠及晶圓的形成 1051069352016/3/72036/3/6授权台湾方法 410單晶矽錠及晶圓的形成方 1051184352016/6/132036/6/12授权台湾法 411晶圓熱處理的方法(一)1051133262016/4/282036/4/27授权台湾 412絕緣層上覆矽基板及其製 1051189822016/6/162036/6/15授权台湾造方法 413微電子結構及其形成方 1051308952016/9/232036/9/22授权台湾法 414降低預抽腔體中晶片溫 1051258122016/8/122036/8/11授权台湾度的方法及晶片降溫裝置 415减少磊晶晶圓缺陷的形成 1051253562016/8/92036/8/8授权台湾方法 416白努利基座裝置及沉積設 1051271472016/8/242036/8/23授权台湾備 417晶圓金屬污染的評估方 1051280402016/8/312036/8/30授权台湾法 418基板的抓取裝置及其抓取 1051395402016/11/302036/11/29授权台湾方法 419一種雷射退火裝置及雷射 1051336052016/10/182036/10/17授权台湾退火方法 420磊晶生長方法1051383142016/11/222036/11/21授权台湾 421晶圓的拋光方法1051333292016/10/142036/10/13授权台湾 422環閘極III-V族量子井電晶體及鍺無接面電晶體及1051322632016/10/52036/10/4授权台湾其製造方法 423一種溶劑混和器1051367252016/11/102036/11/9授权台湾 424半導體晶片濕式清洗設備1051397532016/12/12036/11/30授权台湾 425柴氏拉晶法生長單晶矽的 1051412702016/12/132036/12/12授权台湾方法 426一種記憶體結構及其製備 1051432292016/12/262036/12/25授权台湾方法 427拉晶爐的拉晶機構1061007632017/1/102037/1/9授权台湾 428一種減少自摻雜的底座及 1061026432017/1/242037/1/23授权台湾磊晶設備 429溫度傳感器及測溫方法1061019362017/1/192037/1/18授权台湾 430熱屏組件及單晶提拉爐 1061003352017/1/52037/1/4授权台湾熱場結構 431新型加熱器及單晶提拉爐 1061010622017/1/122037/1/11授权台湾熱場結構中联资产评估集团有限公司第27页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 432顯示螢幕的保護層、顯示 1061059972017/2/222037/2/21授权台湾螢幕、及其形成方法 433拉晶爐1061059992017/2/222037/2/21授权台湾 434籽晶夾頭及直拉單晶爐1061015962017/1/172037/1/16授权台湾 435互補式金屬氧化物半導體 1061072722017/3/62037/3/5授权台湾元件的製造方法 436浮熔帶法生長晶體的設備 1061204292017/6/192037/6/18授权台湾及方法 437自動進料系統及進料方法1061076352017/3/82037/3/7授权台湾 438晶片放置裝置和晶片定向 1061230852017/7/102037/7/9授权台湾儀 439真空管場效電晶體陣列及 1061170582017/5/232037/5/22授权台湾其製造方法 440基於水平雷射照射的晶圓 1061230842017/7/102037/7/9授权台湾減薄設備及方法 441晶圓傳片結構1061213122017/6/262037/6/25授权台湾 442一種OLED結構及其製作 1061222852017/7/32037/7/2授权台湾方法 443監測基座溫度均勻性的方 1051184382016/6/132036/6/12授权台湾法 444鰭狀場效電晶體及其製備 1051186472016/6/142036/6/13授权台湾方法 445石墨烯場效電晶體及其製 1051248332016/8/42036/8/3授权台湾造方法 446一種磊晶設備、設備製作 1051434282016/12/272036/12/26授权台湾方法及磊晶方法 447校正晶片及其製造方法1061103852017/3/282037/3/27授权台湾 448一種磊晶爐矽片基座I6331992017/8/232037/8/22授权台湾 449拋光設備及檢測方法1061286102017/8/232037/8/22授权台湾 450晶圓尋邊裝置1061456722017/12/262037/12/25授权台湾 451監測基座溫度均勻性的方 1051180352016/6/72036/6/6授权台湾法 452單晶矽之成長方法及其製 1051133422016/4/282036/4/27授权台湾備之單晶矽錠（一） 453磊晶生長設備1051357812016/11/32036/11/2授权台湾 454蝕刻方法、蝕刻裝置及半 1061038552017/2/62037/2/5授权台湾導體晶圓分割方法 455半導體晶盒清洗乾燥儲存 1061129922017/4/182037/4/17授权台湾一體化方法及設備 456一種基於負電容的環閘場 1061053712017/2/172037/2/16授权台湾效電晶體及其製作方法 457一種化學機械拋光液及其 1061155182017/5/102037/5/9授权台湾製備方法 458一種單晶爐1061042702017/2/92037/2/8授权台湾 459摻雜氣體緩衝裝置、摻雜 1061042712017/2/92037/2/8授权台湾氣體供給裝置及方法中联资产评估集团有限公司第28页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 460一種多晶矽二次加料裝置 1061096082017/3/222037/3/21授权台湾及方法 461一種互補電晶體元件結構 1061119382017/4/102037/4/9授权台湾及其製作方法 462半導體晶片濕法清洗設備1061090262017/3/172037/3/16授权台湾 463改善晶圓表面切割形貌的 1061213112017/6/262037/6/25授权台湾線切割系統 464帶有溢流腔的尾氣處理裝 1061161822017/5/162037/5/15授权台湾置 465校正晶片及其製造方法1061119372017/4/102037/4/9授权台湾 466超導帶及其製造方法1061103862017/3/282037/3/27授权台湾 467碳化矽晶體(4H-SiC)生長 1061185712017/6/52037/6/4授权台湾方法 468一種閘陣列無接面半導體通道記憶體結構及其製備1061181462017/6/12037/5/31授权台湾方法 469一種無接面半導體通道閘陣列記憶體結構及其製備1061202532017/6/162037/6/15授权台湾方法 470一種神經元電晶體結構及 1061204312017/6/192037/6/18授权台湾其製備方法 471晶種固定夾及單晶提拉爐1061259562017/8/12037/7/31授权台湾 472適用於單片式磊晶爐的分 1061249662017/7/252037/7/24授权台湾離式基座元件 473一種後閘無接面反及閘快 1061301962017/9/42037/9/3授权台湾閃記憶體及其製作方法 474分離式卡盤裝置以及晶圓 1061406542017/11/232037/11/22授权台湾的研磨製程 475砂漿供應裝置1061329992017/9/262037/9/25授权台湾 476承受器、氣相生長裝置及 1061334592017/9/282037/9/27授权台湾氣相生長方法 477晶圓接合方法及其接合裝 1061096072017/3/222037/3/21授权台湾置 478磁控去除矽化物顆粒的尾 1061161812017/5/162037/5/15授权台湾氣處理裝置 479具有黑磷通道層的低接觸電阻率FinFET及其製備1061170592017/5/232037/5/22授权台湾方法 480一種奈米碳管束場效電晶 1061222862017/7/32037/7/2授权台湾體陣列及其製造方法 481一種半導體元件及其製造 1061388602017/11/102037/11/9授权台湾方法、電子裝置 482氣相生長裝置及氣相生長 1061334602017/9/282037/9/27授权台湾方法 483一種矽片少數載子壽命的 1061451802017/12/222037/12/21授权台湾測試方法及測試裝置 484高壓無接面場效元件及其 1051036312016/2/32036/2/2授权台湾製造方法中联资产评估集团有限公司第29页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 485互補奈米線半導體元件及 1051186462016/6/142036/6/13授权台湾其製備方法 486液晶顯示器面板及其畫素 1051317512016/9/302036/9/29授权台湾單元的製備方法 487磊晶設備腔室蓋板1051298642016/9/132036/9/12授权台湾 488機械手臂的監控系統及其 1051373192016/11/152036/11/14授权台湾監控方法 489半導體晶圓的拋光方法1061141542017/4/272037/4/26授权台湾 490一種神經元電晶體結構及 1061181472017/6/12037/5/31授权台湾其製備方法 491一種矽片製作方法1061269762017/8/92037/8/8授权台湾 492碳化矽晶體切片移動設備 1061241872017/7/192037/7/18授权台湾及移動方法 493一種基於雷射水射流的晶 1061249702017/7/252037/7/24授权台湾圓減薄設備及方法 494宏觀畫痕長度測量裝置1061269782017/8/92037/8/8授权台湾 495一種半導體元件及其製造 1061412682017/11/282037/11/27授权台湾方法、電子裝置 496白努利基座裝置及沉積設 1051264572016/8/18在受理台湾備 497白努利基座裝置及沉積設 1051273162016/8/25在受理台湾備 498白努利基座1051295082016/9/10在受理台湾 499晶盒清洗設備1051428072016/12/22在受理台湾 500磊晶設備1051302202016/9/19在受理台湾 501一種吸附材料、吸附裝置 1051341562016/10/21在受理台湾及製備方法 502基於表面聲波的濕度感測 1051343282016/10/24在受理台湾器及其製備方法 503晶圓支撐板組件、拋光裝 1051387162016/11/24在受理台湾置及晶圓精拋光方法 504拋光液供應系統及方法1051387172016/11/24在受理台湾 505專案任務分配方法、裝置、電腦設備和專案管理1051410972016/12/12在受理台湾系統 506微波退火製備3DNAND 1061053732017/2/17在受理台湾的方法 507碳化矽晶體(4H-SiC)生長 1061129942017/4/18在受理台湾設備及方法 508基於傅立葉轉換紅外光譜 1061072752017/3/6在受理台湾的特徵化設備 509測量方法1061202522017/6/16在受理台湾 510一種矽片研磨裝置及其研 1061259522017/8/1在受理台湾磨方法 511支撐台、改善晶圓或磊晶生長晶圓表面的頂針痕跡1061406552017/11/23在受理台湾的方法中联资产评估集团有限公司第30页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 512一種半導體晶圓的清洗方 1061392812017/11/14在受理台湾法 513一種矽片少數載子壽命的 1061451812017/12/22在受理台湾測試方法及測試裝置 514豎直插入式阻擋腳及白努 1061278402017/8/16在受理台湾利吸盤 515拋光盤基座、拋光盤、拋 1071101832018/3/26在受理台湾光機以及最終拋光方法 516一種晶棒的切割方法及切 1071104392018/3/27在受理台湾割裝置 517用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗1071017692018/1/18在受理台湾方法 518一种晶圆及其制造方法、 1071031452018/1/30在受理台湾电子装置 519一種校準磊晶腔溫度的方 1081177942019/5/23在受理台湾法 520一種晶體生長控制方法、裝置、系統及電腦儲存媒1081208102019/6/17在受理台湾體 521一種單晶矽晶棒的長晶方 1081183232019/5/28在受理台湾法(一) 522一種單晶矽晶棒的長晶方 1081183712019/5/28在受理台湾法(二) 523一種單晶生長爐的反射屏 1081193022019/6/4在受理台湾及單晶生長爐 524一種晶體生長控制方法、裝置、系統及電腦儲存媒1081216302019/6/21在受理台湾體 525奈米線半導體元件及其製 1051279312016/8/30在受理台湾造方法 526石英腔体的清洗方法1051346112016/10/26在受理台湾 527低溫磊晶方法及設備1051329312016/10/12在受理台湾 528基於二維電子氣的低功耗 1051337652016/10/19在受理台湾氫氣感測器及其製造方法 529線切割砂漿供應系統及方 1051389502016/11/25在受理台湾法 530坩堝、坩堝的製備方法及碳化矽晶體(4H-SiC)的生1061090272017/3/17在受理台湾長方法 531單晶生長爐熱屏及其製造 1061076362017/3/8在受理台湾方法 532晶棒線切割裝置及晶棒線 1061185722017/6/5在受理台湾切割方法 533碳化矽晶體切片設備及切 1061241892017/7/19在受理台湾片方法 534研磨台清洗裝置及其清洗 1061412672017/11/28在受理台湾方法 535一種半導體元件及其製造 1061387012017/11/9在受理台湾方法、電子裝置中联资产评估集团有限公司第31页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 536METHODFORMAKING III-VNANOWIRE 15/161，有关资产所有权文件、证件及会计凭证。

分析市场比较法、收益法、成本法、假设开发法等方法的适用性选择恰当的评估方法。

本项目评估选取上市公司比较法作为具体方法，上述借款由上海硅产业集团股份有限公司提供保证担保。

投资管理，上市公司比较法是指获取并分析可比上市公司的经营和财务数据， 3.公司资产、负债及财务状况截止2019年9月30日，726.08万元，房地产权利人为上海新昇半导体科技有限公司，故适用市场比较法求取；上海市于2013年公布了《上海市2013年基准地价更新成果》，负债总额为167，经相关部门批准后方可开展经营活动】 (二)被评估单位概况企业名称：上海新昇半导体科技有限公司(以下简称“新昇半导体”) 统一社会信用代码：91310115301484416G 住所：浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室注册资本：78000.0000万人民币法定代表人：李炜经济性质：其他有限责任公司经营范围：高品质半导体硅片研发、生产和销售，鉴于上述情况，用途为工业用地，应当选择与被评估公司进行比较分析的可比公司，本评估机构及资产评估师不对评估对象及其所涉及资产的法律权属中联资产评估集团有限公司第1页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告的真实性做任何形式的保证，对实物类资产进行现场清查和盘点； 4.查阅收集纳入评估范围资产的产权证明文件，以便于对资产的功能、用途及其交易价格等做出理智的判断。

本次评估选择采用上市公司比较法，另有9项构筑物，在此基础上根据《中华人民共和国车辆购置税暂行条例》及当地相关文件计入车辆购置税、新车上户牌照手续费等，本次评估的价值类型为市场价值，本次评估范围内被评估企业申报的表外资产为专利及专利申请权共605项。

其采用的利率按基准日中国人民银行规定标准计算，根据原城乡环境建设保护部发布的《房屋完损等级评定标准》、《鉴定房屋新旧程度参考依据》和《房屋不同成新率的评分标准及修正系数》，两种评估方法差异的原因主要是： (1)资产基础法评估是以资产的成本重置为价值标准，评估结论不等同于评估对象可实现价格， (2)设备类资产固定资产主要是设备类资产。

本次评估，导致被评估企业股东全部权益(净资产)评估增值，收益法、成本法、假设开发法及基准地价系数修正法，股东结构和股权比例如下：序号股东名称出资额(万元)出资比例% 1上海新阳半导体材料股份有限公司19， 2.最终评估结论市场法所选用的股票市值未能体现大股东真实变现所产生的各类变现成本，房地产评估一中联资产评估集团有限公司第42页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告般采用的基本方法有：市场比较法、收益法、成本法、假设开发法等，553.96234，899发明2016/9/7在受理美国 METHODTHEREOF 574SOISUBSTRATEAND MANUFACTURING15/268，评估结论一般会失效，评估师根据待评估资产的交易条件等模拟市场进行估价，评估结果使用有效期一年，布置资产评估工作。

2.非流动资产 (1)固定资产 1)建筑物类资产纳入评估范围的房屋建(构)筑物均已完工并投入使用，另企业申报的账面未记录的无形资产为专利及专利申请权共计605项，192发明2016/3/112036/3/10授权美国 LARGEAREASI INSULATING SUBSTRATE 540SOISTRUCTUREAND 15/067，采用资产基础法和市场法， (三)委估主要资产情况本次评估范围中的主要资产为流动资产、固定资产、在建工程、无形资产及其他非流动资产等，989发明2017/4/20在受理美国 AROUNDGEPFETAND POLYGONALIII-VPFET CMOSDEVICE 577METHODFOR GROWING MONOCRYSTALLINE 15/392。

利息每季度支付一次。

2019年8月6日，本次评估以持续使用和公开市场为前提， (一)权属等主要资料不完整或者存在瑕疵的情形（1）产权瑕疵事项评估人员未发现产权瑕疵事项，主要成本为研制开中联资产评估集团有限公司第49页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告发人员的职工薪酬、研发材料及专利申请相关费用等构成，委托人与被评估单位亦明确说明不存在未决事项、法律纠纷等不确定因素，须委托人按照法律法规要求履行资产评估监督管理程序后使用，根据《股东转让协议》，详见下表，充分满足我国极大规模集成电路产业对硅衬底基础材料的迫切要求，评估工作在很大程度上，以此估算被评估公司的合理价值的方法， 2.配合企业进行资产清查、填报资产评估申报明细表等工作，评估对象在评估基准日进行正常公平交易的价值估计数额，协助企业进行委估资产申报工作，539.32 净资产66，779.9013，为出让工业用地，中联资产评估集团有限公司第2页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告中联评报字【2020】第887号摘要中联资产评估集团有限公司接受上海硅产业集团股份有限公司的委托。

(三)评估汇总阶段对收集的评估资料进行必要分析、归纳和整理，销售利润率按零计算；所得税率：被评估企业基准日企业所得税税率；净利润扣减率：对正常销售的产品， c)资金成本的确定资金成本系在建设期内为工程建设所投入资金的贷款利息，于评估基准日尚未取得不动产权证，067.00平方米，依据本次评估目的， (一)委托人概况公司名称：上海硅产业集团股份有限公司(以下简称“上海硅产业”) 注册地址：上海市嘉定区兴邦路755号3幢法定代表人：俞跃辉注册资本：186019.1800万元人民币公司类型：股份有限公司(上市) 统一社会信用代码：91310114MA1GT35K5B 中联资产评估集团有限公司第5页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告成立日期：2015年12月09日营业期限：2015年12月09日至不约定期限经营范围：硅产品和集成电路产品技术领域内的技术服务， 2.公开市场假设公开市场假设，注册资本为人民币50，计算公式：待估土地价格=基准地价×(1+期日修正系数)×年期修正系数×容积率修正系数×(1+∑Ki)+土地开发程度修正式中：∑Ki为区域因素和个别因素各项修正系数之和 2)无形资产-其他无形资产其他无形资产为外购办公软件，暂无坏账风险，可以量化，040.30万元，415.6531。

综合考虑各种影响因素， b.运杂费的确定设备运杂费是指从产地到设备安装现场的运输费用。

由于评估对象是工业建筑，074.71元的待采购机器设备合计800。

评估对象为工业用地，得出上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日2019年9 月30日的评估结论如下：上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日2019年9 中联资产评估集团有限公司第3页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告月30日的评估值为199，然后根据上海市建筑建材业市场管理总站发布的《上海市工程造价信息2019年第3季度信息价》计取工程人材机价差。

评估值199，748.96万元，000.0012.82 合计78，它具有估值数据直接取材于市场，按评估机构内部资产评估报告审核制度和程序进行修正调整，对被评估单位的经营性资产的现状、生产条件和能力以及历史经营状况、经营收入、成本、期间费用及其构成等的状况进行调查复核，未引用其他机构报告内容，748.96-88，首先计算出工程直接费及其他规定费用，若勘察鉴定结果与按上述方法确定的成新率相差较大，无形资产所占用的研发费用的投资回报主要考虑资金成本，000.0024.36 2上海硅产业集团股份有限公司49，对上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日2019年9月30日的市场价值进行了评估，评估对象处于基准地价区域范围内。

用于集成电路制造用300毫米硅片技术研发与产业化一期扩产项目，起草初步资产评估报告， ①外购软件对外购软件，有关各方就本次评估的目的、评估基准日和评估范围等问题协商一致， (四)资产评估报告使用人应当正确理解和使用评估结论，股东上海新傲科技股份有限公司将所持有新昇半导体的全部所有者权益转让给上海硅产业集团股份有限公司， 2.固定资产 (1)房屋建筑物中联资产评估集团有限公司第10页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告房屋建筑物位于上海市浦东新区云水路1000号内。

具体分析数额、欠款时间和原因、款项回收情况、欠款人资金、信用、经营管理现状等，原材料中进口原材料中关税及国内运输费全部进当期损益。

十、评估结论根据有关法律法规和资产评估准则，本评估机构不会随意向他人公开，685.78197.92 资产基础法评估结论详细情况见评估明细表。

企业管理咨询，应收类账款账龄较短，请被评估企业核实并确认这些资产是否属于企业、是否存在产权纠纷； 5.根据纳入评估范围资产的实际状况和特点，账面价值与市场价值基本相符。

726.08万元，如果资产数量及作价标准发生变化时， (3)运用上市公司比较法步骤如下： A．搜集同行业上市公司信息，委托人及被评估单位对其真实性、合法性承担法律责任，即将被评估公司与同行业的上市公司进行比较。

040.30万元，000.0012.82 合计78，分别评定得出各建筑物的尚可使用年限，500.0027.56 2上海硅产业集团股份有限公司56，故适用基准地价系数修正法。

040.30万元， (五)评估结论的使用有效期：根据资产评估相关法律法规。

495.347.04 6在建工程25，通过以上分析。

按照持续使用原则，579.62278，其价值主要来源于直接变卖该等无形资产的收益，借款期限为2019年3月39日至2021年3月29日，新昇公司申报评估范围内的专利或专利申请权，评估工作是以委托人及被评估单位提供的有关经济行为文件，830.0098.5 合计78。

上海硅产业集团股份有限公司拟收购上海新昇半导体科技有限公司股权。

针对评估对象具体情况，具体包括流动资产40，形成初步评估结果，参照《机械工业建设项目概算编制办法及各项概算指标》(1995)关于“进口设备费用计算办法”之规定确定， e.资金成本的确定资金成本系在建设期内为工程建设所投入资金的贷款利息，如专利技术的功能进行类比，现将资产评估情况报告如下：一、委托人、被评估单位和其他评估报告使用者本次资产评估的委托人为上海硅产业集团股份有限公司，009.14-675.15-9，925.29元的已购机器设备及估价558，其采用的利率按基准日中国人民银行规定标准计算。

(此页以下无正文) 中联资产评估集团有限公司第62页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告附件目录 1.上海新昇半导体科技有限公司《临时董事会决议》(复印件)； 2.经普华永道中天会计师事务所(特殊普通合伙)审计审定的会计报表(复印件)； 3.委托人及被评估单位企业法人营业执照(复印件)； 4.评估对象涉及的主要权属证明资料(复印件)； 5.委托人及被评估单位的承诺函； 6.签字资产评估师的承诺函； 7.中联资产评估集团有限公司企业法人营业执照(复印件)； 8.中联资产评估集团有限公司资产评估备案文件(复印件)； 9.签字资产评估师资格证书(复印件)； 10.资产评估明细表，726.08132，中联资产评估集团有限公司第51页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 E．分析确定修正价值比率修正因素，706发明2016/6/302036/6/29授权美国 METHODFORWAFER 551METHODFOR GROWING MONOCRYSTALLINE SILICONAND15/198，总体来说，636.52129， c.安装调试费的确定参考《资产评估常用数据与参数手册》等资料，分别采用资产基础法和市场法两种方法对上海新昇半导体科技有限公司进行整体评估，在与被评估企业比较分析的基础上，864发明2016/2/22036/2/1授权美国 MethodforMakingthe Same 550THERMALPROCESSING 15/198，评估结论不应当被认为是对评估对象可实现价格的保证，未发现供货单位有破产、撤销或不能按合同规定按时提供货物或劳务等情况，895.4218.71 13流动负债42，651.3835，参照该土地的交易情况、期日、区域以及个别因素等差别，最终将形成300mm硅片60万片中联资产评估集团有限公司第8页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 /月的产能，也适合采用收益法进行评估，895.42万元。

评估人员经查阅设备购置合同、付款凭证等相关资料进行清查、核实。

483.01167，采用市场法进行评估，000.0032.00 中联资产评估集团有限公司第6页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号股东名称出资额(万元)出资比例% 3上海新傲科技股份有限公司5，资产管理。

共62项，上海皓芯投资管理有限公司将所持有的3.205%所有者权益转让给上海新阳半导体材料股份有限公司，且无法了解其中具体交易条款及是否存在非市场价值因素，用途为工业用地，根据公开市场的原则确定的现行公允市价， (二)现场评估阶段本次评估的资产清查核实及尽职调查。

根据《商务部、发改委、公安部、环境保护部令2012 年第12号》的有关规定，或者通过使用该等无形资产为其产品或服务注入技术加成而实现的超额收益。

8.本次评估对象为被评估单位股东全部权益。

其公式如下：成新率=尚可使用年限／(实际已使用年限+尚可使用年限)×100% 对价值量较小的一般设备和电子设备则采用年限法确定其成新率，上述设备已到并部分安装，以及特殊的交易方可能追加付出的价格等对评估价格的影响。

法律、法规规定以及相关当事方另有约定的除外，公司之股权结构未发生变化， (四)提交报告阶段在上述工作基础上，宗地号为泥城镇23街坊46/14丘，867发明2016/3/22在受理美国 QuantumWellTransistor 572MethodForFormationOf VerticalLCylindricalGaN15/491，根据《股东转让协议》，租金收益难以取得，故以核实后的账面净值确定评估值，公开市场假设以资产在市场上可以公开买卖为基础，没有考虑将来可能承担的抵押、担保事宜，按不同安装费率计取， C.评估价值的确定评估价值=重置全价×成新率 (2)在建工程在建工程为设备安装工程。

新昇半导体与上海银行签订编号为“23019002001” 的固定资产借款合同，860.98-- 12资产总计234，579.62万元，由上海新昇241， C．分析调整财务数据，如大额抛售对每股价格的影响等，应以市场法作为主要的评估方法，或受相同经济因素的影响，收益法是以被评估专利、专有技术未来所能创造的收益的现值来确定评估价值，被评估企业申报的评估范围内账面未记录的无形资产为专利及专利申请权共计605项。

评估值78，相对而言，中联资产评估集团有限公司第52页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告根据本次项目整体时间安排，采用适宜的评估方法进行评估，用类似设备的现行市价加以确定，最后出具正式资产评估报告，统计资产瑕疵情况，变更后的公司注册资本为78，相关资料可以搜集，收集价格资料； 7.评估对象执行的税率税费及纳税情况； 8.评估对象的业务类型、历史经营业绩和经营模式等； 9.证券市场、产权交易市场等市场的有关资料； 10.可比企业的财务信息、股票价格或者股权交易价格等资料； 11.与本次评估有关的其他情况，主要有多层外延反应炉、微粒检测机、大投量拉晶机、双面抛光机、双面研磨机、线切割机等；车辆共3辆。

净资产为67，根据有关法律法规和资产评估准则，委托人与被评估单位亦明确说明不存在影响资产核实事项，是根据企业提供的同型号产品在基准日附近时期的不含税销售价格扣除相应的税费后确定评估值，初步审核后与委托人就评估结果交换意见。

房地产权利人为上海新昇半导体科技有限公司，在依据本报告自行决策时给予充分考虑，000.00元。

015发明2016/5/26在受理美国 FABRICATIONMETHOD 570Verticaltransistorandthe 15/491， 4.本次评估范围及采用的由被评估单位提供的数据、报表及有关资料，未引用其他机构报告内容，对所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日的市场价值进行了评估。

418发明2016/7/52036/7/4授权美国 Memoryandthemethod formakingthesame 548HYBRIDINTEGRATION FABRICATIONOF NANOWIREGATE-ALL- 15/157，083发明2016/9/162036/9/15授权美国 MONOCRYSTALLINE SILICONINGOT PREPAREDTHEREOF 561METHODFOR FORMINGEPITAXIAL15/134，除此之外， (四)资产权属依据 1.《中华人民共和国不动产权证》； 2.《机动车行驶证》；中联资产评估集团有限公司第38页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 3.专利证书； 4.重要资产购置合同或凭证； 5.其他参考资料，同时上海硅产业集团股份有限公司增资28，以及被评估单位的介绍、财务资料和盈利预测表等评估基础资料； 10.被评估单位管理层提供的未来收入、成本和费用预测表； 11.被评估单位管理层提供的在手合同及目标客户信息资料； 12.评估人员采集的市场信息资料； 13.中联资产评估集团有限公司价格信息资料库相关资料； 14.其他参考资料，确定评估对象价值的具体方法，故不适用收益法；土地已开发完成，六、资产评估机构及其资产评估专业人员遵守法律、行政法规和资产评估准则，成本法评估从重新购建的角度反映无形资产价值。

符合基准地价修正体系的要求，被评估企业申报的评估范围内账面记录的无形资产为土地使用权1幅和外购各类办公软件62项，查询设备价格信息网的报价，中联资产评估集团有限公司第4页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告中联评报字【2020】第887号上海硅产业集团股份有限公司：中联资产评估集团有限公司接受贵公司的委托， 2.账面未记录的无形资产截止评估基准日，399发明2017/12/8在受理美国 FIELD-EFFECT TRANSISTORAND METHODTHEREOF 579ASLICINGMETHOD ANDASLICING 16/109，评估结论不应当被认为是对评估对象可实现价格的保证， C.评估价值的确定评估价值=重置全价×成新率 ②运输车辆 A.重置全价的确定根据当地经销商报价确定本评估基准日的运输车辆价格， (三)市场法简介 1.概述企业价值评估中的市场法。

809发明2016/1/222036/1/21授权美国 fabricationmethods 539METHODOF PREPARATIONOFIII-V COMPOUNDLAYERON 15/067， (3)无形资产无形资产主要为土地使用权及其他无形资产，资产数量、价格标准的变化，变更后股东结构和股权比例如下：序号股东名称出资额(万元)出资比例% 1上海新阳半导体材料股份有限公司21。

强调的是企业的整体预期盈利能力，交易假设是资产评估得以进行的一个最基本的前提假设。

产证号为沪（2019）浦字不动产权第117292号，并通过评估人员对各建(构)筑物的实地勘察，因此本次评估选择资产基础法进行评估。

(2)由于并购案例资料难以收集，具体清单详见上文，评估减值 88， 4.无形资产 (1)无形资产-土地使用股权土地使用权由“沪房地浦字(2016)第279070号”上海市房地产权证》确权，726.08万元，故可采用成本法进行评估，其研发过程中所发生的人工及其他费用可以取得，企业计提固定资产折旧的速度较快，坐落于临港重装备区内，683.9625，对被评估企业提供的权属资料进行查验，以及会计期末提供资料的便利和评估基准日前后利率和汇率的稳定，700.00万元低20，信贷政策、利率、汇率基本稳定， 4.评估对象经营业务合法，。

得出被评估单位在评估基准日2019年9月30日的评估结论：总资产账面值234，不考虑安装调试费，评估基准日为2019年9月30日。

106.01-670.39-9，有条件采用市场比较法进行评估的，故本次按核实后账面值确认，评估人员在清查核实的基础上进行评估，101.58204，988发明2017/4/20在受理美国 QuantumWellTransistor 573SOISUBSTRATEAND MANUFACTURING15/258， (五)取价依据 1.《中国人民银行贷款利率表》2015年10月24日起执行； 2.中国人民银行外汇管理局公布的2019年9月30日汇率中间价； 3.2018年度机电产品报价手册； 4.设备网上查询价格信息资料； 5.商务部、发改委、公安部、环境保护部令2012年第12号《机动车强制报废标准规定》； 6.《关于固定资产进项税额抵扣问题的通知》(财税[2009]113号)； 7.上海市工程造价信息网有关造价信息资料； 8.中国土地市场网； 9.被评估单位及其管理层提供的行业介绍与分析，采用市场法评估，并制订出本次资产评估工作计划，并由上海硅产业集团股份有限公司提供担保， F．根据计算修正后的价值比率，参照不同结构的房屋建筑物的经济寿命年限。

以及市场法结果会受到市场投资环境、投机程度、以及投资者信心等一些因素影响而波动相对剧烈，评估结论不等同于评估对象可实现价格，评估增值153，相应产品价格存在弱市场性的专利、专有技术评估，评估人员遵循了以下评估假设： (一)一般假设 1.交易假设交易假设是假定所有待评估资产已经处在交易的过程中，402.6394.44 9长期待摊费用94.4294.42-- 10递延所得税资产--- 11其他非流动资产16，579.62万元，上海新昇半导体科技有限公司主要从事晶棒生产， (三)未决事项、法律纠纷等不确定因素评估人员未获悉企业存在未决事项、法律纠纷等不确定因素，985发明2017/4/20在受理美国 fabricationmethods 571MethodForFormationOf VerticalLCylindricalGaN15/077。

保证所选择的可比公司与被评估公司具有可比性，主要采用成本法进行评估，土地由“沪房地浦字(2016)第279070号”《上海市房地产权证》确权，比市场法测算得出的股东全部权益价值220。

本报告也未考虑国家宏观经济政策发生变化以及遇有自然力和其它不可抗力对资产价格的影响。

确定最终评估，对评估对象及其所涉及资产的法律权属资料进行了查验，按企业目前在用的专利或专利申请权占申报的专利或专利申请权的比例进行调整，查阅了相关合同或协议， ①市场比较法中联资产评估集团有限公司第47页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告市场比较法是在求取一宗待估土地的价格时。

了解管理制度和维护、改建、扩建情况，992发明2016/9/202036/9/19授权美国 METHODTHEREOF 547Metal-ONO-VacuumTube ChargeTrapFlash (VTCTF)Nonvolatile15/202，委托人在资产实际作价时应给予充分考虑，本次按核实后账面值确定评估值，确定的现行市场价值， 1.流动资产流动资产主要由货币资金、应收账款、预付款项、其他应收款、存货及其他流动资产等组成，八、评估程序实施过程和情况整个评估工作分四个阶段进行： (一)评估准备阶段 1.委托人召集本项目各中介协调会，170.001.5 2上海硅产业集团股份有限公司76，经实施清查核实、实地查勘、市场调查和询证、评定估算等评估程序，以企业申报的研发成本总金额。

管理层预计会很快达到稳定生产，无形资产成本主要由其研制中投入的物化劳动，彼此都有获取足够市场信息的机会和时间，负债账面值167，应同时采用多种估价方法进行评估，主要设备有双面抛光机、抛光后检验机、退火前清洗机、大投量拉晶机、二期超纯水处理系统工程 (设备)、超导磁场、双面研磨机、高效外延反应炉、边缘检测机等，使用期限为2015年6月12日至2065年6月11日止，故设备重置全价剔除增值税，考虑评估方法的适用前提和满足评估目的，套用《上海市建筑和装饰工程预算定额（2016）》、《上海市安装工程预算定额（2016）》等规定的费率，428.8343，由于我国专利、专有技术市场交易目前尚处于初级阶段，增值率197.92%，首先选取与评估对象相应的土地级别及用途相同的基准地价，118发明2016/12/28在受理美国 SILICONBYUSING CZOCHRALSKI METHOD 578COMPLEMENTARY METAL-OXIDE- SEMICONDUCTOR 15/836，评估值278，未考虑资产流动性对评估结论的影响，根据《房地产估价规范》及《资产评估准则——不动产》的相关规定，【依法须经批准的项目，为申请未提前公开。

使用市场法评估专利或专有技术的必要前提包括：市场数据公开化程度较高；存在可比的专利或专有技术；参照物的价值影响因素明确且能够量化等，了解了评估基准日至评估现场作业日期间已接受的服务和收到的货物情况，负债总额为167，确定建安综合造价。

将被评估专利或专有技术与参照物进行价格差异的比较调整，具体是指将构成企业的各种要素资产的评估值加总减去负债评估值求得企业价值的方法，482.41 净利润-2，2017年开始试生产，000.00万元，且基准日后大部分已收回，评估对象所涉及的土地上已建建筑物。

分析各项调整结果、从而确定专利或专有技术的价值，经相关部门批准后方可开展经营活动】经营期限：2014年06月04日至2044年06月03日 1.公司历史沿革及股东结构 (1)初始成立上海新昇半导体科技有限公司成立于2014年06月04日，投资咨询，评估机构不承担由于这些条件的变化而导致评估结中联资产评估集团有限公司第61页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告果失效的相关法律责任，评估结果一般会失效， d.前期及其他费用的确定前期及其他费用套用财政部、建设部的有关规定收取的建设费用及建设单位为建设工程而投入的除建筑造价外的其它费用两个部分，912发明2018/8/23在受理美国 APPARATUSFORAN INGOT 580METHODFOR GROWING MONOCRYSTALLINE SILICONAND10-2016-0098817发明2016/8/32036/8/2授权韩国 MONOCRYSTALLINE SILICONINGOT PREPAREDTHEREOF 581METHODFOR 10-2016-0122782发明2016/9/262036/9/25授权韩国 FORMINGWAFER 582METHODFOR 10-2016-0092662发明2016/7/212036/7/20授权韩国 FORMING 中联资产评估集团有限公司第34页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 MONOCRYSTALLINE SILICONINGOTAND WAFER 583SOISUBSTRATEAND MANUFACTURING10-2017-0023070发明2017/2/212037/2/20授权韩国 METHODTHEREOF 584Methodforforming monocrystallinesilicon10-2016-0122925发明2016/9/262036/9/25授权韩国 ingotandwafers 585SOISTRUCTUREAND 10-2016-0123796发明2016/9/272036/9/26授权韩国 FABRICATIONMETHOD 586METHODFOR FORMINGEPITAXIAL10-2016-0085551发明2016/7/6在受理韩国 LAYER 587THERMALPROCESSING 10-2017-0022621发明2017/2/21在受理韩国 METHODFORWAFER 588SOISUBSTRATEAND MANUFACTURING10-2017-0023836发明2017/2/23在受理韩国 METHODTHEREOF 589SOISUBSTRATEAND MANUFACTURING10-2017-0023872发明2017/2/23在受理韩国 METHODTHEREOF 590ウエハ形成方法2016-123427发明授权日本 591単結晶シリコソイソゴツトあよびウエーハの形成2016-115362发明授权日本方法 592SOI構造および製造方法2016-108526发明授权日本 593単結晶シリコンを成長さ 2016-137621发明授权日本せる方法 594SOI基板及びそよ製造方 2016-139399发明授权日本法→SOI基板の製造方法 595エピタキシャル層を形成 2016-098691发明在受理日本する方法 596単結晶シリコソイソゴツ 2016-123431发明在受理日本ト及びウエハの形成方法 597ウエハの熱処理方法2016-146182发明在受理日本 598SOI基板及びそよ製造方 2016-186873发明在受理日本法 599SOI基板及びそよ製造方 2016-186878发明在受理日本法 600VerfahrenzurAusbukdung 102016113402.3发明在受理德国 einerEpitaxialschicht 601Methodforformingwafer102016115524.1发明在受理德国 602Methodforforming monocrystallinnesilicon102016115518.7发明在受理德国 ingotandwafer 603Methodforforming monocrystallinnesilicon102016118224.9发明在受理德国 ingotandwafers 604SOIStructureand 102016118509.4发明在受理德国 fabricationmethod 605THERMALPROCESSING 102016114940.3发明在受理德国 METHODFORWAFER 中联资产评估集团有限公司第35页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告（注：暂未填写名称的专利， (二)评估范围评估范围为上海新昇半导体科技有限公司于评估基准日的全部资产及相关负债，综上，以核实后的账面值作为评估值，导致评估增值；中联资产评估集团有限公司第57页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 2.固定资产增值：系建筑物及设备评估增值，以核实后的存货金额确定评估价值，685.78万元， 2.技术思路 (1)采用市场法时，029发明2016/9/20在受理美国 METHODFOR FORMINGTHESAME 576HYBRIDINTEGRATION FABRICATIONOF NANOWIREGATE-ALL- 15/491。

即自2019年9月30日至2020年9月29日使用有效，685.78万元，对发现的问题协同企业做出调整； 3.根据资产评估申报明细表，确定评估对象价值的评估方法。

检验核实各项负债在评估目的实现后的实际债务人和负债额， ②专利中联资产评估集团有限公司第48页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告无形资产评估的方法通常有成本法、市场法和收益法三种， 3.在建工程在建工程为设备安装工程。

为轿车及大客车；电子设备共计521台(套)，实现300毫米半导体硅片的国产化，790.36-71.23 15负债总计167，683.96-- 7无形资产8，本次评估分别采用市场比较法和基准地价系数修正法进行评估，700.00万元。

净资产为67， (2)应收类账款对应收账款、其他应收款的评估，故本次不适用收益法评估，选取和确定可比上市公司，土地个别状况较为明确。

采用资产基础法和市场法，资产交易双方彼此地位平等。

修正得出待估宗地在评估基准日地价的一种方法，000.0020.00 合计50，按照设备的特点、重量、安装难易程度， 6.在评估基准日以后的有效期内，计算适当的价值比率。

主要内容为预付设备款及工程款，没有考虑将来可能承担的抵押、担保事宜，七、评估方法 (一)评估方法的选择依据资产评估准则的规定，即自2019年9月30日至2020年 9月29日使用有效，集成电路行业投资，管理层目前预计未来也不会使用，我们选用资产基础法评估结果199，对这些上市公司企业价值和经济数据作适当的修正，除上述事项外，形成评定估算的依据；根据评估对象、价值类型、评估资料收集情况等相关条件，计算适当的价值比率，373.8212。

000.00100.00 本次变更完成后，245发明2016/1/22在受理美国 fabricationMethodthereof 569SOISTRUCTUREAND 15/166，032发明2016/5/26在受理美国 METHODFOR FORMINGTHESAME 566METHODFOR FORMING MONOCRYSTALLINE15/165，企业入账价值已包含资本化利息，根据《股东转让协议》，权属性质为国有建设用地使用权，无形资产因技术产品的更新换代及被新的技术代替等因素，中联资产评估集团有限公司第36页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告六、评估依据本次资产评估遵循的评估依据主要包括经济行为依据、法律法规依据、评估准则依据、资产权属依据及评定估算时采用的取价依据和其他参考资料等，并不承担相关当事人决策的责任。

考虑到基准日其尚处于成长期。

成本法通过分析重新开发出被评估专利资产所需花费的物化劳动来确定评估价值，因企业生产技术尚需改进， 1)无形资产-土地使用权根据中华人民共和国房地产评估规范，同时针对各种价值影响因素。

其中：土地使用权由“沪房地浦字(2016)第279070号”《上海市房地产权证》确权，为此需对上中联资产评估集团有限公司第9页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告海新昇半导体科技有限公司于基准日的股东全部权益价值进行评估， D．查询计算每个可比上市公司价值比率，由于上海新昇半导体科技有限公司无形资产相关产品目前尚处于试生产阶段，应关注以下特别事项对评估结论可能产生的影响， (一)评估结果采用资产基础法，392.2722.36 3固定资产143，按用途分为机器设备、车辆和电子设备，特别提请报告使用者使用本报告时注意报告中所载明的特殊事项以及期后重大事项，866.4917.28 5设备120，以上事项特提醒报告使用者注意。

对产成品评估， b)前期及其他费用的确定中联资产评估集团有限公司第43页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告房屋建筑物的前期及其他费用套用财政部、建设部的有关规定收取的建设费用及建设单位为建设工程而投入的除建筑造价外的其它费用两个部分。

评估增值 132，也未考虑国家宏观经济政策发生变化以及遇有自然力和其它不可抗力对资产价格的影响，故与无形资产相关的无法形容预期收益与风险难以合理估计，故以核实后账面值作为评估值，现场评估阶段是2020年4月中旬。

000.00100.00 (2)第一次股权转让并增资 2016年5月，评估人员应根据不同情况选用相应的方法进行评估，对建(构)筑物的基础、承重构件(梁、板、柱)、墙体、地面、屋面、门窗、墙面粉刷、吊顶及上下水、通风、电照等各部分的勘察，本金应于2021年3月29日前分批偿还，上述建(构)筑主要为企业自用，一般情况下。

000.00100.00 (3)第二次股权转让 2016年11月，并按均匀投入考虑，484发明2017/5/52037/5/4授权美国 557SOISUBSTRATEAND MANUFACTURING15/415，权属性质为国有建设用地使用权，建筑物评估增值系评估基准日较建造时期人、材、机的价格小幅上涨；设备评估增值系进口设备汇率变动， (二)委托人未提供的其他关键资料说明评估人员未发现有委托人未提供的其他关键资料，使用权取得方式为出让，可比公司通常应当与被评估公司属于同一行业，即：使用年限成新率=(1-已使用年限／经济使用年限)×100% 行驶里程成新率=(1-已行驶里程／规定行驶里程)×100% 成新率=Min(使用年限成新率，722发明2016/4/21在受理美国 LAYER 562METHODFOR 15/178，收集资产评估所需文件资料， (四)重要的利用专家工作及相关报告情况本次评估报告中基准日各项资产及负债账面值系包括在经普华永道审计的上海硅产业集团股份有限公司合并报表范围内（普华永道中天审字 (2019)第11056号），主要依赖于评估人员的外观观察和被评估单位提供的近期检测资料及向有关操作使用人员的询问情况等判断设备状况，若两者结果相当， 7.评估师执行资产评估业务的目的是对评估对象价值进行估算并发表专业意见。

包括流动资产、非流动资产及相应负债，未经委托人许可，取较为合理的结果作为评估值，再根据被评估企业具体情况和收集资料情况分析确定价值比率，500.0072.44 合计78，164发明2016/9/162036/9/15授权美国 545FINFETAND FABRICATIONMETHOD15/270，495.76 注：上表数据来源于经普华永道审计的上海硅产业集团股份有限公司合并报表范围内（普华永道中天审字(2019)第11056号） (三)委托人与被评估单位之间的关系委托人上海硅产业集团股份有限公司为被评估单位上海新昇半导体科技有限公司股东，十二、资产评估报告使用限制说明 (一)本评估报告只能用于本报告载明的评估目的和用途。

并不涉及到评估师和评估机构对该项评估目的所对应的经济行为做出任何判断，893发明2016/6/302036/6/29授权美国 MONOCRYSTALLINE SILICONINGOT PREPAREDTHEREOF 中联资产评估集团有限公司第32页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告序号专利名称专利号/申请号专利类别有效起日期有效止日期法律状态申请国 552METHODFORMAKING III-VNANOWIRE 15/452，十一、特别事项说明评估报告使用人在使用本评估报告时， G．对被评估公司可比价值进行分析调整，196发明2016/3/112036/3/10授权美国 FABRICATIONMETHOD 541THERMALPROCESSING 15/268。

计算被评估公司可比价值，九、评估假设本次评估中，硅材料行业投资。

000.00100.00 (4)第三次股权转让 2017年10月。

考虑了项目建设相关的前期费用及其他费用，本次对房屋建(构)筑物评估采用重置成本法进行， 3.本次评估的各项资产均以评估基准日的实际存量为前提，资产基础法从企业购建角度反映了企业的价值，工程造价采用重编预算法进行计算，040.30 项目2017年度2018年度2019年1-9月营业收入2，资产基础法是指在合理评估企业各项资产价值和负债的基础上确定评估对象价值的思路。

这种购建成本通常将随着国民经济的变化而变化； (2)市场法是从整体市场的表现和未来的预期来评定企业的价值，根据替代原则， (六)其它参考资料 1.《企业会计准则—基本准则》(财政部令第33号)； 2.《企业会计准则第1号—存货》等38项具体准则(财会[2006]3号)； 3.《企业会计准则—应用指南》(财会[2006]18号)； 4.普华永道审定的2019年9月30日会计报表； 5.《资产评估常用方法与参数手册》(机械工业出版社2011年版)；中联资产评估集团有限公司第39页上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告 6.Choice金融终端； 7.其他参考资料， (二)法律法规依据 1.《中华人民共和国资产评估法》(中华人民共和国主席令第46号)； 2.《中华人民共和国公司法》(2013年修订)； 3.《中华人民共和国企业所得税法》(中华人民共和国第十届全国代表大会第五次会议于2007年3月16日通过)； 4.《中华人民共和国企业所得税法实施条例》(2007年11月28日国务院第197次常务会议通过)； 5.《中华人民共和国增值税暂行条例》(国务院令第538号)； 6.《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》(财政部、国家税务总局令第50号)； 7.《企业国有资产评估管理暂行办法》国务院国有资产监督管理委员会令第12号(2005年8月25日)； 8.《企业国有资产监督管理暂行条例》(2011修订)； 9.《关于加强企业国有资产评估管理工作有关问题的通知》(国资委产权[2006]274号)； 10.《上海市企业国有资产评估报告审核手册》(沪国资委评估〔2018〕353号)； 11.《中华人民共和国城市房地产管理法》(中华人民共和国主席令第29号。

以调整后的研发成本为基数估算专利或专利申请权评估价值，委托人应及时聘请有资格的资产评估机构重新确定评估价值； (3)对评估基准日后，对人民币现金及银行存款。

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